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멤브레인 하부기판 상에 샘플패드, 미세유체 채널이 형성된 멤브레인 및 흡수패드가 순차적으로 형성된 멤브레인 어세이; 및 상기 멤브레인 어세이 상에 형성된 다중 FET를 포함하고, 상기 샘플패드는 측정버퍼 용액을 투입하기 위한 제1 샘플패드 및 다중 표적물질이 포함된 시료버퍼 용액을 투입하기 위한 제2 샘플패드로 구분되고,상기 다중 FET는 다중 표적물질의 종류 이상(N개)의 독립적인 수용게이트와 수용게이트 전극이 포함된 FET 수용부; 상기 수용게이트의 수 미만(M개)의 독립적인 FET 채널 배열이 포함된 FET 감지부; 및 적어도 하나 이상의 기준게이트와 기준게이트 전극이 포함된 FET 기준부를 포함하고,상기 제1 샘플패드와 연결되는 제1 미세유체 채널 및 상기 제2 샘플패드와 연결되는 제2 미세유체 채널은 상기 FET 수용부 전단에 형성된 교차연결점을 통해 합류되며, 상기 미세유체 채널은 상기 FET 수용부, 상기 FET 감지부 및 상기 FET 기준부를 전기적으로 연결하기 위한 것인FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서,상기 FET 수용부 내 상기 수용게이트 표면 또는 상기 수용게이트와 접촉하는 멤브레인 표면에는 표적물질과 특이적인 결합을 위한 수용물질이 부착 및 고정된 FET 기반 다중 바이오센서
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제2항에 있어서,상기 수용물질의 부착 및 고정을 위해, 상기 수용게이트 표면 또는 상기 수용게이트와 접촉하는 멤브레인 표면은 생화학적 반응 방법 또는 물리적 증착 방법으로 표면처리된 FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서, 상기 수용게이트의 재질은 ⅰ) Au, Ag, Pt 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 금속; ⅱ) AgCl을 포함하는 금속화합물; 및 ⅲ) n형 또는 p형으로 도핑된 Si, Ge 및 그 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 반도체 계열 물질;로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 수용게이트의 형태는 직선형, 원형, 다각형, 벌집형 및 평판형으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 2D 구조; 또는 상기 2D 구조를 결합한 3D 구조인 FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서,상기 FET 감지부 내 FET 채널 배열의 수(M개)는 적어도 하나 이상이고,상기 FET 채널 배열은 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극을 연결하기 위한 FET 채널을 포함하는 FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서, 상기 FET 채널은 n형 또는 p형으로 도핑되거나 진성(intrinsic)으로 구현 된 것이고, 상기 FET 채널의 재질은 ⅰ) Si, Ge 및 그 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 반도체 계열 물질; 또는 ⅱ) 그래핀을 포함하는 탄소(C);를 포함하고, 상기 FET 채널의 형태는 직선형, 원형, 다각형, 벌집형 및 평판형으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 2D 구조; 또는 상기 2D 구조를 결합한 3D 구조인 FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서,상기 FET 수용부 및 상기 FET 감지부는 별도의 반도체 기판에서 제작된 것인FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서, 상기 멤브레인 내 상기 미세유체 채널은 2D 구조 또는 3D 구조인 FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서, 상기 제1 미세유체 채널은 상기 제2 미세유체 채널과 너비 또는 두께가 서로 상이한 FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 있어서, 상기 제2 샘플패드 및 상기 교차연결점 사이에 형성되고, 신호증폭 접합체 물질이 결합된 컨쥬게이션 패드를 추가로 포함하는 FET 기반 다중 바이오센서
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제1항에 따른 FET 기반 다중 바이오센서를 이용한 검출 방법에 있어서, (a) 측정버퍼 용액을 상기 제1 샘플패드에 투입한 후, 상기 제1 미세유체 채널을 통해 상기 흡수패드 방향으로 이동시키면서 1차 미세유체 시료층을 형성하는 단계; (b) 상기 (a) 단계 중에 기준게이트에 의한 상기 FET 감지부에 대한 1차 전기전도도를 측정하고, 상기 수용게이트에 의한 상기 FET 감지부에 대한 1차 전기전도도를 측정하는 단계;(c) 다중 표적물질이 포함된 시료버퍼 용액을 상기 제2 샘플패드에 투입한 후, 상기 제2 미세유체 채널을 통해 상기 1차 미세유체 시료층과 합류시킨 다음, 상기 흡수패드 방향으로 이동시키는 과정에서 상기 다중 표적물질을 상기 FET 수용부에 포획시키는 단계; (d) 상기 (c) 단계에서 포획에 필요한 일정 시간 경과 후, 상기 제1 미세유체 채널을 통해 상기 흡수패드 방향으로 지속적으로 이동 중인 상기 측정버퍼 용액으로 2차 미세유체 시료층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 (d) 단계 중에 상기 기준게이트에 의한 상기 FET 감지부에 대한 2차 전기전도도를 측정하고, 상기 수용게이트에 의한 상기 FET 감지부에 대한 2차 전기전도도를 측정한 다음, 상기 1차 전기전도도 측정 결과와의 비교를 통해 그 변화를 계산 및 보정하는 단계를 포함하는 검출 방법
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제12항에 있어서,상기 (c) 단계에서 제2 샘플패드에 투입된 시료버퍼 용액은 신호증폭 접합체 물질이 결합된 컨쥬게이션 패드를 통과하는 검출 방법
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