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트랜스포즈가 가능한 가중치 셀에 있어서,입력라인 및 제 1 그룹의 워드라인에 접속된 제 1 선택 트랜지스터,출력라인 및 제 2 그룹의 워드라인에 접속된 제 2 선택 트랜지스터 및상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터와 접속된 시냅스 가중치 소자를 포함하되,상기 입력라인과 상기 출력라인은 서로 수직하도록 배치되고,상기 제 1 그룹의 워드라인은 상기 입력라인에 수직하도록 배치되고, 상기 제 2 그룹의 워드라인은 상기 출력라인에 서로 수직하도록 배치되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀
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제 1 항에 있어서,상기 시냅스 가중치 소자는 하나 이상의 저항체, 하나 이상의 커패시터 및 양음 가중치 기능을 갖는 강유전체 소자 중 어느 하나인 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀
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제 2 항에 있어서,상기 시냅스 가중치 소자는 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터의 사이에 배치되거나, 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터의 타단에 공통 접속되도록 배치되거나, 연속하여 접속된 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 중 어느 하나의 선택 트랜지스터의 타단에만 접속되도록 배치되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀
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4
제 2 항에 있어서,상기 저항체는 멀티 레벨을 갖는 저항변환 스위치 메모리 소자인 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀
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5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 중 어느 하나는 불휘발성 메모리 기능의 플로팅 게이트 트랜지스터인 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀
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6
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제 2 선택 트랜지스터에 특정 전압이 인가됨에 따라, 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터에 대응하는 시냅스 가중치 소자가 활성화되어 온-칩 학습이 수행되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀
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7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이되, 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 중 불휘발성 메모리 기능의 플로팅 게이트 트랜지스터는, 상기 온-칩 학습이 수행되는 중에는 충전 상태로 사용되고, 상기 온-칩 학습이 완료됨에 따라 방전 상태로 전환되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀
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8
트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이에 있어서,하나 이상의 입력라인,상기 입력라인에 수직하도록 배치된 하나 이상의 출력라인,상기 입력라인에 수직하도록 배치된 제 1 그룹의 워드라인,상기 출력라인에 수직하도록 배치된 제 2 그룹의 워드라인 및 상기 입력라인 및 상기 제 1 그룹의 워드라인에 접속된 제 1 선택 트랜지스터, 상기 출력라인 및 상기 제 2 그룹의 워드라인에 접속된 제 2 선택 트랜지스터 및 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터와 접속된 시냅스 가중치 소자를 포함하는 복수의 가중치 셀을 포함하는 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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9
제 8 항에 있어서,상기 시냅스 가중치 소자는 하나 이상의 저항체, 하나 이상의 커패시터 및 양음 가중치 기능을 갖는 강유전체 소자 중 어느 하나인 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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10
제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 중 어느 하나는 불휘발성 메모리 기능의 플로팅 게이트 트랜지스터인 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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11
제 10 항에 있어서,상기 제 2 그룹의 워드라인은 각각 독립되어 상기 복수의 가중치 셀에 포함된 플로팅 게이트 트랜지스터에 전기적으로 접속되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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12
제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이되, 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 중 플로팅 게이트 트랜지스터를 충전 상태로 초기화시킨 후, 상기 복수의 가중치 셀 중 하나 이상의 상기 초기화된 플로팅 게이트 트랜지스터와 다른 플로팅 게이트 트랜지스터를 온 상태로 전환시키기 위해 제 1 전압이 인가되도록 하고,상기 제 1 전압이 인가된 플로팅 게이트 트랜지스터에 대응하는 시냅스 가중치 소자가 활성화됨에 따라 온-칩 학습이 수행되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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제 12 항에 있어서,미리 설정된 출력전압과 실제 출력전압 간의 오차가 존재하는 경우, 상기 미리 설정된 출력전압에 대응하는 전압을 상기 출력라인의 레이어에서 상기 입력라인의 레이어로 인가하고, 상기 입력라인을 통해 나오는 전하를 전압으로 환산하여 상기 입력라인에 인가된 입력전압과 비교하는 역전파(backpropagation) 과정을 수행하여 상기 오차를 보정하는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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14
제 13 항에 있어서,상기 오차가 보정됨에 따라 상기 활성화된 시냅스 가중치 소자에 대응하는 가중치는 저장되고, 상기 저장된 가중치를 갖는 시냅스 가중치 소자에 대응하는 상기 가중치 셀에 포함된 상기 플로팅 게이트 트랜지스터는 방전 상태로 전환되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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15
제 14 항에 있어서,상기 방전 상태로 전환된 플로팅 게이트 트랜지스터에 상기 제 1 전압보다 작은 제 2 전압을 인가하여 상기 플로팅 게이트 트랜지스터를 온 상태로 유지시켜 상기 인공 신경망을 구동시키는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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상기 인공 신경망이 구동됨에 따라 상기 입력라인에 인가된 새로운 입력전압에 해당하는 예측값이 지도학습을 통해 상기 출력라인으로 출력되는 것인 트랜스포즈가 가능한 가중치 셀 어레이
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