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펄스화된 레이저를 이용한 NbOx 선택소자의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 선택소자

  • 기술번호 : KST2019034750
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 선택소자의 제조 방법은 하부 Pt 전극이 노출되어 있는 패터닝된 기판 상에 Nb2O5 필름을 증착하는 단계; 및 상기 Nb2O5 필름에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020180062831 (2018.05.31)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2058702-0000 (2019.12.17)
공개번호/일자 10-2019-0136739 (2019.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20191223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손준우 대구광역시 수성구
2 박윤규 대구광역시 달성군 화원읍 성화

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0538063-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0060338-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0637577-90
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1121128-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-1121127-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
10 등록결정서
Decision to grant		 2019.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0902615-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 Pt 전극이 노출되어 있는 패터닝된 기판 상에 Nb2O5 필름을 증착하는 단계; 및상기 Nb2O5 필름에 레이저를 조사하는 단계를 포함하고,상기 레이저를 조사하는 단계에서는 상기 Nb2O5 필름 내 NbO2 상이 형성되는 선택소자의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 레이저를 조사하는 단계에서는 환원 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 선택소자의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 레이저를 조사하는 단계에서는 Ar gas 분위기 또는 1 % 내지 5 % H2 forming gas 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 선택소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 레이저를 조사하는 단계에서는,KrF(a krypton fluoride) pulsed laser를 조사하는 것을 특징으로 하는 선택소자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 패터닝된 기판은, Si 기판 위에 하부 SiO2 층, TiN 층, 하부 Pt 전극 및 상부 SiO2층을 포함하는 기판에 상부 SiO2층을 일부 식각하여 준비되는 것을 특징으로 하는 선택소자 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 패터닝된 기판은 200 nm 내지 300 nm의 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택소자의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 레이저를 조사하는 단계 이후, 스퍼터링으로 상부 Pt 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 선택소자의 제조 방법
9 9
제1항 및 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 선택소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 차세대 메모리용 RRAM 기술
2 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업소재핵심기술개발 저가격 타이타늄계 열변색 세라믹 소재 원천기술 개발