| 1 |
1
일단은 클럭(CLK) 펄스와 연결되고, 2개 이상의 복수 개의 플립플롭(flip-flop)이 직렬 또는 순환식으로 연결되어 있는 카운터, 및 일단은 프로그램(PGM) 펄스 또는 읽기 전압(Vread)을 발생시키는 노드와 연결되고, 타단은 상기 플립플롭과 동일한 수의 트랜지스터(Tr)-저항변화소자(RRAM) 회로가 병렬 구조와 연결된 시냅스 유닛을 포함하며,상기 카운터의 각 플립플롭 사이의 회로 중 일 지점은 대응하는 트랜지스터와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 카운터는 링(ring) 카운터 또는 비트(bit) 카운터인 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 카운터가 링 카운터인 경우, 상기 시냅스 유닛은 트랜지스터-저항 변화 소자 회로의 병렬 구조로 구성되고, 상기 병렬 구조 상의 각 트랜지스터는 동일한 특성을 갖는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 카운터가 비트 카운터인 경우, 상기 시냅스 유닛은 트랜지스터-저항 변화 소자 회로의 병렬 구조로 구성되고, 상기 병렬 구조 상의 각 트랜지스터는 파라미터를 다르게 하여 흐르는 전류량을 조절하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 뉴로모픽 시냅스 장치는 하나의 카운터에 복수 개의 시냅스 유닛을 연결하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치
|
| 6 |
6
(a) 제1항의 뉴로모픽 시냅스 장치를 제공하는 단계;(b) 상기 뉴로모픽 시냅스 장치의 카운터에 클럭 펄스를 가하여, 병렬 연결된 트랜지스터(Tr)-저항변화소자(RRAM) 회로 중 플립플롭의 출력 데이터가 1인 회로와 연결된 트랜지스터가 온(ON)이 되는 단계; 및(c) 상기 뉴로모픽 시냅스 장치의 시냅스 유닛에 프로그램 펄스를 가하여, 병렬 연결된 트랜지스터(Tr)-저항변화소자(RRAM) 회로 중 트랜지스터가 ON인 회로의 저항변화소자의 저항 상태를 온(ON)으로 바꾸어주는 쓰기 단계; 및(d) 상기 뉴로모픽 시냅스 장치의 시냅스 유닛에 읽기 전압(Vread)을 인가하여, 병렬 연결된 트랜지스터(Tr)-저항변화소자(RRAM) 회로의 컨덕턴스 합을 신호로 나타내는 읽기 단계를 포함하는, 뉴로모픽 시냅스 장치의 동작 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 시냅스 유닛 내의 병렬 구조 상의 각 트랜지스터는 동일한 특성을 가지며, n개의 회로를 병렬연결한 시냅스 유닛의 경우, n+1개의 멀티 레벨 컨덕턴스를 표현하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치의 동작 방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 시냅스 유닛 내의 병렬 구조 상의 각 트랜지스터는 길이 또는 너비를 변화시켜 흐르는 전류량을 조절함으로써, 트랜지스터 상에 있는 회로의 저항 변화 소자마다 생성되는 컨덕턴스의 값을 다르게 하여, n개의 회로를 병렬연결한 시냅스 유닛의 경우, 2n개의 멀티 레벨 컨덕턴스를 표현하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치의 동작 방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,상기 쓰기 단계에서 펄스는 포화된 전류를 나타내는 전압을 사용하며, 상기 읽기 단계에서 읽기 전압(Vread)은 선형 영역의 전류를 나타내는 전압을 사용하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 시냅스 장치의 동작 방법
|
