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저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법

  • 기술번호 : KST2019034758
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 임피던스 분석을 이용한 이중 물질층 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 저항변화 메모리 소자에 임피던스 분석장치를 설치하는 단계, 상기 임피던스 분석장치를 이용하여 상기 저항변화 메모리 소자에 주파수가 가변되는 교류 전압을 인가하는 단계, 상기 저항변화 메모리 소자의 임피던스를 측정하여 측정된 임피던스 데이터로부터 주파수에 따라 저항 변화 거동을 분석하는 단계, 및 상기 저항 변화 거동의 분석을 통해, 산소 공공으로부터 생성/소멸된 필라멘트의 생성 위치를 추정하여, 소자의 작동 유무를 확인하는 단계를 포함하는, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법을 제공한다.
Int. CL G01N 27/04 (2006.01.01) G01R 27/02 (2006.01.01) H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC G01N 27/04(2013.01) G01N 27/04(2013.01) G01N 27/04(2013.01)
출원번호/일자 1020180064962 (2018.06.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0138472 (2019.12.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강병우 경상북도 포항시 남구
2 우승준 대구광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0554223-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
저항변화 메모리 소자에 임피던스 분석장치를 설치하는 단계;상기 임피던스 분석장치를 이용하여 상기 저항변화 메모리 소자에 주파수가 가변되는 교류 전압을 인가하는 단계;상기 저항변화 메모리 소자의 임피던스를 측정하여 측정된 임피던스 데이터로부터 주파수에 따라 저항 변화 거동을 분석하는 단계; 및상기 저항 변화 거동의 분석을 통해, 산소 공공으로부터 생성/소멸된 필라멘트의 생성 위치를 추정하여, 소자의 작동 유무를 확인하는 단계;를 포함하는, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 저항 변화 거동을 분석하는 단계에서는, 단일 물질층 저항변화메모리 소자 및 이중 물질층 저항변화메모리 소자 각각의 임피던스를 측정하는 단계; 및 각각 측정된 임피던스 데이터의 비교를 통해, 이중 물질층 저항변화 메모리 소자의 저항변화와 주파수 변화가 일어나는 물질을 특정하는 단계를 포함하는, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법
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제2항에 있어서,상기 저항변화 메모리 소자에는 추가로 선택소자가 연결되어 있고,측정된 임피던스 데이터의 비교를 통하여 상기 선택소자의 저항과 상기 저항변화메모리 소자의 저항을 구별하거나, 소자의 작동 유무 또는 저항변화가 발생하는 메커니즘이 상기 이중 물질층 저항변화메모리 소자의 어느 곳인지를 판단하는, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 임피던스 분석장치를 설치하는 단계에서는, 상기 저항변화메모리 소자에 직렬로 저항을 연결하는, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 주파수는 1MHz~0
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제5항에 있어서,상기 저항은 500Ω ~ 5kΩ인, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전압은 1~5V인, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 임피던스 데이터는 HRS 상태인, 저항변화메모리 소자의 전기화학 분석 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 차세대 메모리용 RRAM 기술