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기판; 상기 기판 상에 형성된 계면접착층(interfacial adhesion layer); 및상기 계면접착층 상에 형성된 그래핀층;을 포함하고,상기 계면접착층은 상기 기판과 상기 그래핀층을 접착하고, 실리콘-산소-탄소(Si-O-C) 결합을 포함하는 것인, 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 계면접착층은 실리콘-산소(Si-O) 결합 및 실리콘-탄소(Si-C) 결합을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 실리콘-산소-탄소 결합이 아래 구조식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 그래핀층이 단일층 그래핀, 2중층 그래핀 및 다층 그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제1항에 있어서,상기 기판이 실리콘(Si) 및 금속산화물 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제5항에 있어서,상기 금속산화물은 실리콘 옥사이드(SiO2), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 하프늄 옥사이드(HfO3) 및 이산화 타이타늄(TiO2) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체
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제 1항의 그래핀 적층체를 포함하는 유기전자소자
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제7항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기박막트랜지스터, 유기태양전지, 유기발광다이오드, 유기메모리소자, 멤리스터 및 베리스터 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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(a) 기판 상에 그래핀 전구체를 코팅하여 그래핀 전구체가 코팅된 기판을 제조하는 단계; (b) 상기 그래핀 전구체가 코팅된 기판 상에 UV/O3를 조사하여 기판/계면접착층/가교된 그래핀 전구체를 제조하는 단계; 및(c) 상기 기판/계면접착층/가교된 그래핀 전구체의 가교된 그래핀 전구체 상에 금속 촉매를 위치시키고 열처리하여 기판/계면접착층/그래핀층을 포함하는 그래핀 적층체를 제조하는 단계;를 포함하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 단계 (a) 이후에, (a') 상기 그래핀 전구체가 코팅된 기판 상에 섀도우 마스크를 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 그래핀 전구체는 25℃, 1기압에서 고체상태이고, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소이고, 상기 치환에 해당하는 치환기는 산소원자, C1 내지 C200 알킬기, C2 내지 C200의 알케닐기, C2 내지 C200의 알키닐기, C1 내지 C200 알킬렌기, C2 내지 C200의 알케닐렌기, C2 내지 C200의 알키닐렌기, 및 C6 내지 C200 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 그래핀 전구체는 1,2,3,4-Tetraphenylnaphthalene(TPN), 안트라센(Anthracene), 파이렌(Pyrene), 나프탈렌(Naphthalene), 플루오란텐(Fluoranthene), 헥사페닐벤젠(Hexaphenylbenzene), 테트라페닐싸이클로펜타디에논(Tetraphenylcyclopentadienone), 디페닐아세틸렌(Diphenylacetylene), 페닐아세틸렌(Phenylacetylene), 트립티센(Triptycene), 테트라센(Tetracene), 크리센(Chrysene), 트리페닐렌(Triphenylene), 코로넨(Coronene), 펜타센(Pentacene), 코란눌렌(Corannulene) 및 오발렌(Ovalene) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 금속 촉매는 구리, 니켈, 코발트, 철, 탄탈룸, 이리듐 및 루테늄 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 단계 (a) 에서, 상기 코팅된 그래핀 전구체의 두께가 1 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 그래핀 전구체의 두께를 조절하여 그래핀의 층수를 제어하는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 단계 (a) 에서, 상기 코팅 방법이 스핀 코팅, 딥 코팅, 바 코팅, 스프레이 코팅 중에서 선택된 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 단계 (c)가 200 내지 1,500℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 단계 (c)가 촉매의 화학기상증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 화학기상증착이 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), 상압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학기상증착(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), 줄-히팅(Joul-heating) 화학기상증착, 및 마이크로웨이브 화학기상증착 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 화학기상증착이 수소, 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 적층체의 제조방법
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