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제1 주파수 신호, 제2 주파수 신호 및 선택입력 신호를 입력받는 다중화기; 및상기 다중화기에서 출력된 신호를 입력 신호로 받는 오실레이터를 포함하고,상기 제1 주파수 신호는 상기 다중화기에 입력되기 전에 1개의 인버터를 통과하며, 상기 제2 주파수 신호는 상기 다중화기에 입력되기 전에 직렬로 연결된 3개의 인버터들을 통과하며,상기 다중화기는 3개의 NAND 게이트 및 1개의 인버터 게이트로 구성되고,상기 오실레이터는,프랙탈(fractal) 구조를 가지기 위해서 3 개의 노드가 하나의 셀을 구성하고, 각 노드 사이에는 하나 이상의 인버터가 배치되고, 하나의 셀의 각 노드에서의 위상 차이는 ⅓π이며, 상기 오실레이터의 출력 신호를 발생하도록 설정되는 것을 특징으로 하는, CMOS 프랙탈 오실레이터
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청구항 1에 있어서,상기 오실레이터는,서로 다른 크기의 셀 범위를 가지는 프랙탈 구조로 설계된 것을 특징으로 하는, CMOS 프랙탈 오실레이터
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청구항 1에 있어서,상기 오실레이터는 주파수 변위 변조(Frequency Shift Keying) 방식을 이용하여 변조하는 것을 특징으로 하는, CMOS 프랙탈 오실레이터
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청구항 1에 있어서,상기 오실레이터는,상기 프랙탈 구조 내부에서 변형되는 셀의 범위에 따라서 출력 주파수가 바뀌는 것을 특징으로 하는, CMOS 프랙탈 오실레이터
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청구항 4에 있어서,상기 프랙탈 구조 내부에서 변형되는 셀이 많아질수록 출력 주파수가 낮아지는 것을 특징으로 하는, CMOS 프랙탈 오실레이터
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청구항 1에 있어서,상기 오실레이터는, GHz급 주파수에서 동작되는 것을 특징으로 하는, CMOS 프랙탈 오실레이터
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제1 주파수 신호, 제2 주파수 신호 및 선택입력 신호를 다중화기에서 입력받는 단계;상기 다중화기에서 출력된 신호를 오실레이터에서 입력받는 단계;를 포함하고,상기 제1 주파수 신호는 상기 다중화기에 입력되기 전에 1개의 인버터를 통과하며, 상기 제2 주파수 신호는 상기 다중화기에 입력되기 전에 직렬로 연결된 3개의 인버터들을 통과하며,상기 다중화기는 3개의 NAND 게이트 및 1개의 인버터 게이트로 구성되고,상기 오실레이터는,프랙탈(fractal) 구조를 가지기 위해서 3 개의 노드가 하나의 셀을 구성하고, 각 노드 사이에는 하나 이상의 인버터가 배치되고, 하나의 셀의 각 노드에서의 위상 차이는 ⅓π이며, 상기 오실레이터의 출력 신호를 발생하도록 설정되는 것을 특징으로 하는, 발진 제어 방법
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청구항 7에 있어서,상기 오실레이터는,서로 다른 크기의 셀 범위를 가지는 프랙탈 구조로 설계된 것을 특징으로 하는, 발진 제어 방법
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청구항 7 있어서,상기 오실레이터는 주파수 변위 변조(Frequency Shift Keying) 방식을 이용하여 변조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발진 제어 방법
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10
청구항 7에 있어서,상기 오실레이터는,상기 프랙탈 구조 내부에서 변형되는 셀의 범위에 따라서 출력 주파수가 바뀌는 것을 특징으로 하는, 발진 제어 방법
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청구항 10에 있어서,상기 프랙탈 구조 내부에서 변형되는 셀이 많아질수록 출력 주파수가 낮아지는 것을 특징으로 하는, 발진 제어 방법
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청구항 7에 있어서,상기 오실레이터는, GHz급 주파수에서 동작되는 것을 특징으로 하는, 발진 제어 방법
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