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기판;상기 기판 상의 적어도 일부분에 형성된 반도체층; 및상기 반도체층 상의 적어도 일부분에 형성된 요철 구조 패턴층;을 포함하고,상기 요철 구조 패턴층은, 요철 구조 패턴이 형성된 실리콘 수지층; 및상기 요철 구조 패턴 상에 형성된 박막층; 을 포함하고,상기 요철 구조 패턴은, 상기 박막층의 형성에 의해서 실리콘 수지층 상에 형성된 것이며,상기 박막층은, Al, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Y, Sc, Yb, Lu, 및 Gd로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하고,상기 반도체층과 상기 실리콘 수지층 사이에 전도성층을 더 포함하며,상기 전도성층은, AZO, ZnO, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, ATO, FTO(F-doped SnO2), GZO, ZTO, GIO, MZO, AGZO, Al2O3, TiO2, IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO 및 SiN으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상(상기 x 는 양의 유리수)을 포함하는, 광전소자
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제1항에 있어서,상기 박막층은, 산화물을 더 포함하고, 상기 산화물은, Mg, Zn, Al, Ti, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, 및 Ta로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 산화물을 포함하는 것인, 광전소자
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제1항에 있어서,상기 요철 구조 패턴층은, 20 ㎛ 이하의 두께를 갖고, 상기 기판은, 사파이어(Al2O3), Si, SiC, Ge, GaN, GaAs, GaN, AlN, 스테인레스, 유리, InGaN, AlGaN, LiNbO3(lithium niobate), NdGaO3(neodymium gallate), 및 갈륨산화물(Ga2O3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 광전소자
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제1항에 있어서,상기 반도체층은, III-V, II-VI계 반도체 화합물, 또는 이 둘을 포함하는 것인, 광전소자
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상의 적어도 일부분에 요철 구조 패턴층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 요철 구조 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 반도체층 상의 적어도 일부분에 실리콘 수지층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 수지층 상에 박막층을 도포하는 단계; 를 포함하고,상기 박막층을 도포하는 단계에서 상기 박막층의 도포에 의해서 실리콘 수지층 상에 요철 구조 패턴이 형성되고, 상기 박막층을 도포하는 단계에서 상기 박막층은, 50 ℃ 내지 500 ℃의 성장 온도에서 실리콘 수지층의 표면을 요철 구조 패턴으로 패터닝하면서 증착되며,상기 요철 구조 패턴층을 형성하는 단계 이전에, 상기 반도체층 상에 전도성층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것인,광전소자의 제조방법
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