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반도체층 상에 형성된 제1 산화물층; 상기 제1 산화물층 상에 형성된 금속층; 및 상기 금속층 상에 형성된 제2 산화물층; 을 포함하고, 상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층은, 각각 FTO-ITO 혼합층이며,상기 혼합층 중 FTO:ITO 몰비는 1:1에서 1:5까지 변화하고,360 nm 이하의 파장에서 광투과율이 85 % 이상인 것인,자외선 발광소자용 투명전극
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제1항에 있어서,상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층은 각각, 10 nm에서 100 nm까지 두께를 갖는 것인 자외선 발광소자용 투명전극
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반도체층 상에 제1 산화물층을 형성하는 단계;상기 제1 산화물층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 상에 제2 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제2 산화물층을 형성하는 단계 이후에 열처리하는 단계;를 더 포함하고, 상기 열처리하는 단계는, 200 ℃ 내지 800 ℃에서 수행하고,상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층은, 각각 FTO-ITO 혼합층이며,상기 혼합층 중 FTO:ITO 몰비는 1:1에서 1:5까지 변화하고,360 nm 이하의 파장에서 광투과율이 85 % 이상인 것인,자외선 발광소자용 투명전극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 혼합층을 형성하는 단계는 코스퍼터링으로 FTO 및 ITO를 동시에 형성하는 것인, 자외선 발광소자용 투명전극의 제조방법
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