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기판; 및 상기 기판 상에 형성되고, 국부적으로 나노결정 닷이 분포된 Zn-In-Sn-O 기반 비정질 산화물 박막;을 포함하고, 상기 나노결정 닷 및 Zn-In-Sn-O 기반 비정질 산화물은, 각각, ZITO:Al, ZITO:Ga 또는 이 둘을 포함하고, 상기 Zn-In-Sn-O 기반 비정질 산화물 대 상기 나노결정 닷은, 1:0
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제1항에 있어서,상기 기판은, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 폴리머를 포함하는 유연 기판, 사파이어 기판, 실리콘 기판, 또는 유리 기판을 포함하는 것인, 산화물 기반 고 전도성 유연 투명전극
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제1항에 있어서,상기 산화물 기반 고 전도성 유연 투명전극은, 가시광 영역에서 80 % 이상의 광투과도 및 10 -2Ω·cm이하의 비저항을 갖는 것인, 산화물 기반 고 전도성 유연 투명전극
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Zn 타켓, In 타켓, 및 Sn타겟을 이용하여 기판 상에 Zn-In-Sn-O 기반 비정질 산화물 박막을 성장시키는 단계; 및상기 Zn-In-Sn-O 기반 비정질 산화물 박막을 열처리하여 상기 비정질 산화물 박막 내에서 국부적으로 분포된 나노결정 닷을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 Zn 타켓, In 타켓, Sn 타겟 또는 이 둘은, Ga, Al 또는 이 둘이 도핑된 타켓이며,상기 나노결정 닷을 형성하는 단계는, 300 ℃ 내지 650 ℃에서 1분 내지 2분 동안 열처리하고,상기 비정질 산화물 박막을 성장시키는 단계는, 250 ℃ 내지 650 ℃의 성장 온도에서 실시되고,상기 나노결정 닷을 형성하는 단계는, 초당 50 ℃ 내지 100 ℃ 승온 속도로 가열하여 열처리하는 것인, 제1항의 산화물 기반 고 전도성 유연 투명전극의 제조방법
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