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실리콘 기판의 상면과 하면에 열적 고립층을 위한 산화막과 보호층을 위한 질화막을 순차 적층하는 단계;상기 하면에 형성된 상기 질화막과 상기 산화막을 순차 식각한 후, 드러난 실리콘층을 식각하여 캐비티를 형성하는 단계; 및상기 상면에 마이크로 히터를 위한 전극들과 그 사이의 저항 패턴을 형성한 후, 그 위에 절연층, 감지 전극 패턴 및 감지 물질층을 순차 적층하는 단계를 포함하고,상기 감지 물질층은, 감지 물질 잉크 용액을 도포한 후, 비표면적이 향상되도록 RIE(Reactive ion etching) 방식을 이용하여 플라즈마 처리되어 형성되며,상기 감지 물질 잉크 용액은 SnO2 분말과 물, 글리세롤 및 비신을 포함하여 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제작방법
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제1항에 있어서,상기 순차 적층하는 단계에서, 상기 산화막은 SiO2 층이고, 상기 질화막은 SiNx 층인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제작방법
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제1항에 있어서,상기 캐비티를 형성하는 단계에서, 상기 실리콘층의 두께가 30~70 μm 남을 때까지 상기 실리콘층을 식각하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제작방법
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제1항에 있어서,상기 감지 전극 패턴의 마주보는 긴 패턴들의 길이 방향과 상기 마이크로 히터의 저항 패턴을 이루는 핑거들의 길이 방향이, 서로 직교하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제작방법
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실리콘층 상면에 열적 고립층을 위한 산화막, 보호층을 위한 질화막, 마이크로 히터를 위한 전극들과 그 사이의 저항 패턴, 절연층, 감지 전극 패턴 및 감지 물질층을 순차 적층한 구조를 포함하고,상기 실리콘층의 하면에는 상기 산화막과 상기 질화막의 순차 적층 구조로 둘러 쌓인 영역에 상기 실리콘층이 식각되어 형성된 캐비티를 가지며,상기 감지 물질층은, 감지 물질 잉크 용액을 도포한 후, 비표면적이 향상되도록 RIE(Reactive ion etching) 방식을 이용하여 플라즈마 처리되어 형성되며,상기 감지 물질 잉크 용액은 SnO2 분말과 물, 글리세롤 및 비신을 포함하여 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제6항에 있어서,상기 산화막은 SiO2 층이고, 상기 질화막은 SiNx 층인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제6항에 있어서,상기 캐비티 부분의 상기 실리콘층의 두께가 30~70 μm인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제6항에 있어서,상기 감지 전극 패턴의 마주보는 긴 패턴들의 길이 방향과 상기 마이크로 히터의 저항 패턴을 이루는 핑거들의 길이 방향이, 서로 직교하도록 배치된 것을 특징으로 하는 가스 센서
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