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I-Ⅲ-VI계 삼성분계 Cu-Ga-S 또는 Ag-Ga-S, 또는 I-Ⅲ-VI계 사성분계 X-In-Ga-S 또는 Zn-X-Ga-S (X=Cu, Ag)에 Mn 도핑된 코어 양자점 및 ZnS 쉘을 가지는 양자점으로서,상기 삼성분계에서 Cu : Ga 또는 Ag : Ga 또는 상기 사성분계에서 X : (In + Ga) 또는 X : (Zn + Ga)은 1:10 ~ 1:1이고,상기 사성분계 X-In-Ga-S에서 In : Ga = (1-x) : x이라 하거나 상기 사성분계 Zn-X-Ga-S에서 Zn : Ga = (1-x) : x이라 할 경우, 0
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I-Ⅲ-VI계 삼성분계 Cu-Ga-S 또는 Ag-Ga-S, 또는 I-Ⅲ-VI계 사성분계 X-In-Ga-S 또는 Zn-X-Ga-S (X=Cu, Ag) 코어 양자점을 형성하는 단계; 상기 코어 양자점 표면에 Mn을 흡착시키는 단계; 및상기 코어 양자점상에 ZnS 쉘을 형성하면서 상기 Mn을 상기 코어 양자점 안으로 확산시키는 단계를 포함하고,상기 삼성분계에서 Cu : Ga 또는 Ag : Ga 또는 상기 사성분계에서 X : (In + Ga) 또는 X : (Zn + Ga)은 1:10 ~ 1:1이고,상기 사성분계 X-In-Ga-S에서 In : Ga = (1-x) : x이라 하거나 상기 사성분계 Zn-X-Ga-S에서 Zn : Ga = (1-x) : x이라 할 경우, 0
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제5항에 있어서, 상기 코어 양자점을 형성하는 단계는 전구체 및 용매를 혼합하고 가열하여 수행하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 양자점 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 Mn을 흡착시키는 단계는 Mn 도펀트 스톡 용액을 적용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 양자점 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 Mn 도펀트 스톡 용액은 Mn 전구체, 옥타데센 및 올레산을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 양자점 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 ZnS 쉘을 형성하는 단계는 ZnS 스톡 용액을 적용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 양자점 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 ZnS 쉘을 형성하는 단계는 두 번 연속하여 수행하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 양자점 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 두 번 연속하여 수행할 때에 각 ZnS 스톡 용액의 농도 및 반응 온도를 달리하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 양자점 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 코어 양자점을 형성하는 단계는 구리 전구체, 갈륨 전구체, 황 전구체 및 용매 혼합 용액에 황 소스를 주입하여 수행하고, 상기 ZnS 쉘을 형성하는 단계는 상기 혼합 용액에 첫 번째 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계; 및상기 혼합 용액에 두 번째 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계를 포함하며,상기 ZnS 스톡 용액들은 Zn 전구체, 황 전구체 및 옥타데센을 포함하고,상기 첫 번째 ZnS 스톡 용액은 올레산, 스테아르산 및 미리스트산 중 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 양자점 제조 방법
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근자외선 LED 또는 청색 LED와 같은 광원용 소자; 및상기 광원용 소자로부터 방출된 광의 파장을 변조하여 백색 발광하는 양자점층을 포함하고,상기 양자점은 I-Ⅲ-VI계 삼성분계 Cu-Ga-S 또는 Ag-Ga-S, 또는 I-Ⅲ-VI계 사성분계 X-In-Ga-S 또는 Zn-X-Ga-S (X=Cu, Ag) 코어 양자점 및 ZnS 쉘을 가지는 양자점으로서,상기 삼성분계에서 Cu : Ga 또는 Ag : Ga 또는 상기 사성분계에서 X : (In + Ga) 또는 X : (Zn + Ga)은 1:10 ~ 1:1이고,상기 사성분계 X-In-Ga-S에서 In : Ga = (1-x) : x이라 하거나 상기 사성분계 Zn-X-Ga-S에서 Zn : Ga = (1-x) : x이라 할 경우, 0
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제13항에 있어서, 상기 코어 양자점은 Mn이 도핑된 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드
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