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트렌치로 구분된 N-MOSFET부 및 P-MOSFET부로 구성되며,상기 N-MOSFET부는, 도핑되지 않은 GaN층과 상기 GaN층의 위에 형성되고 도핑되지 않은 AlGaN층을 포함하고, 상기 AlGaN층에 서로 이격되어 설치된 소스 전극과 드레인 전극, 상기 AlGaN층의 적어도 일부를 리세스하여 설치된 게이트 전극 및 게이트 전극과 상기 AlGaN층 사이에 형성된 게이트 절연층을 포함하고,상기 P-MOSFET부는, 도핑되지 않은 GaN층과 상기 GaN층의 위에 형성되고 P형으로 도핑된 P-GaN층을 포함하고, 상기 P-GaN층에 서로 이격되어 설치된 소스 전극과 드레인 전극, 상기 P-GaN층의 적어도 일부를 리세스하여 설치된 게이트 전극 및 게이트 전극과 상기 P-GaN층 사이에 형성된 게이트 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반의 CMOS 소자
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청구항 1에 있어서,게이트 전극을 형성하기 위한 상기 AlGaN층의 리세스가 AlGaN층을 전부 제거한 것을 특징으로 하는 GaN 기반의 CMOS 소자
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청구항 1에 있어서,게이트 전극을 형성하기 위한 상기 P-GaN층의 리세스가 P-GaN층을 전부 제거한 것을 특징으로 하는 GaN 기반의 CMOS 소자
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청구항 1에 있어서,상기 AlGaN층과 상기 P-GaN층에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 AlGaN층 또는 상기 P-GaN층에 오믹 접합된 오믹전극과 상기 오믹전극에 형성된 금속 재질의 금속전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 GaN 기반의 CMOS 소자
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도핑되지 않은 GaN 기판의 표면에 도핑되지 않은 AlGaN층을 형성하여 AlGaN/GaN 이종접합을 구성하는 단계;상기 AlGaN층을 일부만 남기고 제거한 뒤에 GaN 기판의 가운데에 트렌치를 형성하여 상기 AlGaN층이 남겨진 N-MOSFET 영역과 AlGaN층이 제거된 P-MOSFET 영역으로 메사 분리하는 단계;AlGaN층이 제거된 P-MOSFET 영역의 GaN 표면에 p형으로 도핑된 GaN 재질의 P-GaN층을 분리하여 성장시키는 단계;상기 AlGaN층과 상기 P-GaN층의 각각에 오믹 접착된 소스 전극과 드레인 전극을 분리하여 형성하는 단계;소스 전극과 드레인 전극이 형성된 상기 AlGaN층에 리세스를 형성하는 단계;노출된 전체 표면에 대하여 절연막을 형성하는 단계; 및상기 P-GaN층의 분리된 공간 및 상기 AlGaN층의 리세스에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반 CMOS 소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 AlGaN층에 리세스를 형성하는 단계에서 AlGaN층을 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반 CMOS 소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계에 앞서, 소스 전극과 드레인 전극이 노출되도록 절연막의 일부를 에칭하는 단계를 더 포함하고,상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서, 게이트 전극과 함께 노출된 소스 전극 및 드레인 전극에 접촉하는 금속 전극을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반 CMOS 소자의 제조방법
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도핑되지 않은 GaN 기판의 표면에 도핑되지 않은 AlGaN층을 형성하여 AlGaN/GaN 이종접합을 구성하는 단계;상기 AlGaN층을 일부만 남기고 제거한 뒤에, AlGaN층이 제거되어 노출된 GaN의 표면에 p형으로 도핑된 GaN 재질의 P-GaN층을 형성하는 단계; AlGaN층과 P-GaN층이 형성된 GaN 기판의 가운데에 트렌치를 형성하여, 상기 AlGaN층이 남겨진 N-MOSFET 영역과 P-GaN층이 재성장된 P-MOSFET 영역으로 메사 분리하는 단계;상기 AlGaN층과 상기 P-GaN층의 각각에 오믹 접착된 소스 전극과 드레인 전극을 분리하여 형성하는 단계;소스 전극과 드레인 전극이 형성된 상기 AlGaN층과 상기 P-GaN층에 리세스를 형성하는 단계;노출된 전체 표면에 대하여 절연막을 형성하는 단계; 및상기 P-GaN층과 상기 AlGaN층의 리세스에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반 CMOS 소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 AlGaN층에 리세스를 형성할 때에 AlGaN층을 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반 CMOS 소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 P-GaN층에 리세스를 형성할 때에 P-GaN층을 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반 CMOS 소자의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계에 앞서, 소스 전극과 드레인 전극이 노출되도록 절연막의 일부를 에칭하는 단계를 더 포함하고,상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서, 게이트 전극과 함께 노출된 소스 전극 및 드레인 전극에 접촉하는 금속 전극을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반 CMOS 소자의 제조방법
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트렌치로 구분된 N-MOSFET부 및 P-MOSFET부로 구성되며,상기 N-MOSFET부는, 도핑되지 않은 GaN층과 상기 GaN층의 위에 형성되고 n형으로 도핑된 N-GaN층을 포함하고, 상기 N-GaN층에 서로 이격되어 설치된 소스 전극과 드레인 전극, 상기 N-GaN층의 적어도 일부를 리세스하여 설치된 게이트 전극 및 게이트 전극과 상기 N-GaN층 사이에 형성된 게이트 절연층을 포함하고,상기 P-MOSFET부는, 도핑되지 않은 GaN층과 상기 GaN층의 위에 형성되고 P형으로 도핑된 P-GaN층을 포함하고, 상기 P-GaN층에 서로 이격되어 설치된 소스 전극과 드레인 전극, 상기 P-GaN층의 적어도 일부를 리세스하여 설치된 게이트 전극 및 게이트 전극과 상기 P-GaN층 사이에 형성된 게이트 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 기반의 CMOS 소자
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