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소정의 비유전율을 가지는 유전체 기판, 상기 유전체 기판 상부면에 형성되며, 전자기파를 방사하는 하나의 마이크로스트립 방사 소자, 그리고 상기 마이크로스트립 방사 소자의 중심으로부터 기 설정된 거리에 형성되며, 전력원으로부터 급전받은 전력을 상기 마이크로스트립 방사 소자로 전송하는 복수의 급전 포트를 포함하며, 상기 마이크로스트립 방사 소자는, 상기 복수의 급전 포트 각각에 대응하여 전자기파를 방사하는 복수개의 방사 개구면을 포함하고, 상기 복수개의 방사 개구면에서 방사되는 전자기파의 위상차에 따라 빔조향 안테나의 어레이 팩터가 결정되고, 상기 위상차(βn)는, 아래의 수학식을 의해 연산되는 빔조향 안테나: 여기서, n은 상기 급전 포트의 인덱스 번호를 의미하고, k0는 자유공간에서 방사되는 전자기파의 파수를 의미하고, d는 상기 기 설정된 거리를 의미하고, εr은 유전체 기판의 비유전율을 의미하고, θ는 3차원 좌표계의 고각을 의미하고, φ는 상기 3차원 좌표계의 방위각을 의미하고, φn은 상기 3차원 좌표계에서 n번째 안테나 급전 포트의 방위각을 의미한다
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제1항에 있어서, 상기 마이크로스트립 방사 소자는, n개의 꼭지점을 포함하는 다각형의 패치 형상으로 형성되고, 상기 복수의 급전 포트는, 상기 n개로 형성되는 빔조향 안테나
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제1항에 있어서, 상기 마이크로스트립 방사 소자는, 원형의 패치 형상으로 형성되고, 상기 급전 포트는, 복수 개로 형성되는 빔조향 안테나
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제1항에 있어서, 상기 위상차는, 상기 기 설정된 거리 또는 상기 비유전율이 증가함에 따라 커지는 빔조향 안테나
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제1항에 있어서, 상기 빔조향 안테나의 어레이 팩터(AF)는, 아래의 수학식에 의해 연산되는 빔조향 안테나:여기서, N은 상기 급전 포트의 개수를 의미하고, k는 매질의 특성이 반영된 전자기파의 파수를 의미하고, 이고, W는 상기 마이크로스트립 방사 소자의 폭을 의미한다
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제1항에 있어서, 상기 복수의 급전 포트는, 각각의 급전 포트별로 서로 다른 진폭 및 위상을 가지는 전력을 급전받아 상기 마이크로스트립 방사 소자로 전송하는 빔조향 안테나
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