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우물벽(wall)들 사이에 우물층(well)을 포함하는 다중 양자 우물(MQW) 구조의 활성층을 포함하되, 상기 우물벽은 알칼리 금속 할로겐 화합물, 알칼리 토금속 할로겐 화합물, 알칼리 금속 칼코겐 화합물 및 알칼리 토금속 칼코겐 화합물 중에서 선택되는 절연체의 층이고,상기 우물층은 란탄계 금속 할로겐 화합물, 란탄계 금속 칼코겐 화합물, 전이금속(포스트 전이금속 포함) 할로겐 화합물 및 전이금속 칼코겐 화합물 중에서 선택되는 반도체를 포함하는 층이며,상기 활성층은 비정질, 다결정 중 어느 하나의 결정상임을 특징으로 하는 광전 소자
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제1항에 있어서, 상기 우물층은 상기 반도체로 이루어지는 층인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제1항에 있어서, 상기 우물층은 상기 절연체를 호스트로 하여 란탄계 금속, 전이금속, 상기 반도체 및 전이금속의 질소족 화합물 중에서 선택되는 활성제로 도핑된 층인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제1항에 있어서, 상기 절연체는 AH, A2C, EH2 또는 EC의 화학식을 가지며, 여기서 A는 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs, Fr), E는 알칼리 토금속(Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra), H는 할로겐(F, Cl, Br, I), C는 칼코겐(O, S, Se, Te, Po)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제3항에 있어서, 상기 활성제는 L, C, LH2, LH3, LH4, LC, LC2, L2C3, TH, TH2, TH3, TH4, TC 또는 TP의 화학식을 가지며, 여기서 L은 란탄계 금속(La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu), T는 전이금속(Al, Ga, In, Cu, Ag, Au, Zn, Ni, Pb, Pt, Co, Rh, Ir, Fe, Ru, Ir, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Sn, Ge), H는 할로겐(F, Cl, Br, I), C는 칼코겐(O, S, Se, Te, Po), P는 질소족(N, P, As, Sb)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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알칼리 금속 및 알칼리 토금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 할로겐 화합물 또는 칼코겐 화합물에 란탄계 금속이 도핑 또는 합금화된 활성층을 포함하되, 상기 활성층이 페로브스카이트 구조를 갖고, 상기 활성층은 비정질, 다결정 중 어느 하나의 결정상임을 특징으로 하는 광전 소자
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제6항에 있어서, 상기 활성층을 가운데에 두도록 알칼리 금속 할로겐 화합물, 알칼리 토금속 할로겐 화합물, 알칼리 금속 칼코겐 화합물 및 알칼리 토금속 칼코겐 화합물 중에서 선택되는 절연체의 층들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 활성층은 알칼리 금속 및 알칼리 토금속을 포함하는 할로겐 화합물을 호스트로 하여 란탄계 금속, 란탄계 금속 할로겐 화합물 및 란탄계 금속 칼코겐 화합물 중에서 선택되는 활성제로 도핑된 층인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제8항에 있어서, 상기 호스트는 AEH3, A2EH4 또는 AE2H5의 화학식을 가지며, 여기서 A는 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs, Fr), E는 알칼리 토금속(Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra), H는 할로겐(F, Cl, Br, I)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제9항에 있어서, 상기 활성제는 L, LH2, LH3, LH4, LC, LC2, 또는 L2C3의 화학식을 가지며, 여기서 L은 란탄계 금속(La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu), H는 할로겐(F, Cl, Br, I), C는 칼코겐(O, S, Se, Te, Po)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제7항에 있어서, 상기 활성층은 알칼리 금속 및 알칼리 토금속을 포함하는 할로겐 화합물의 알칼리 토금속을 란탄계 금속이 치환해 합금화한 것이고, ALH3, A2LH4 또는 AL2H5의 화학식을 가지며, 여기서 A는 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs, Fr), L은 란탄계 금속(La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu), H는 할로겐(F, Cl, Br, I)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제7항 또는 제11항에 있어서, 상기 절연체는 AH, A2C, EH2 또는 EC의 화학식을 가지며, 여기서 A는 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs, Fr), E는 알칼리 토금속(Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra), H는 할로겐(F, Cl, Br, I), C는 칼코겐(O, S, Se, Te, Po)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 광전 소자는 디스플레이, 태양전지, 및 광센서의 부품 중 어느 하나에 속하는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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우물벽(wall)들 사이에 우물층(well)을 포함하는 다중 양자 우물(MQW) 구조의 활성층을 포함하되, 상기 우물벽은 알칼리 금속 할로겐 화합물, 알칼리 토금속 할로겐 화합물, 알칼리 금속 칼코겐 화합물 및 알칼리 토금속 칼코겐 화합물 중에서 선택되는 절연체의 층이고,상기 우물층은 란탄계 금속 할로겐 화합물, 란탄계 금속 칼코겐 화합물, 전이금속(포스트 전이금속 포함) 할로겐 화합물 및 전이금속 칼코겐 화합물 중에서 선택되는 반도체를 포함하는 층이며,상기 활성층은 비정질, 다결정 중 어느 하나의 결정상인 광전 소자를 제조하되,상기 활성층을 열증발법, CVD, PVD, 소결법, 용액 공정법, 침전법, 핫-인젝션(hot-injection)법 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 광전 소자 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 우물층은 상기 절연체를 호스트로 하여 란탄계 금속, 전이금속, 상기 반도체 및 전이금속의 질소족 화합물 중에서 선택되는 활성제로 도핑된 층이며,상기 우물벽의 원료 공급을 지속하는 가운데, 상기 활성제의 공급을 온/오프로 조정해 펄스 방식으로 공급하여 상기 우물벽과 우물층을 반복적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광전 소자 제조 방법
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알칼리 금속 및 알칼리 토금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 할로겐 화합물 또는 칼코겐 화합물에 란탄계 금속이 도핑 또는 합금화된 활성층을 포함하되, 상기 활성층이 페로브스카이트 구조를 갖고, 상기 활성층은 비정질, 다결정 중 어느 하나의 결정상인 광전 소자를 제조하되,상기 활성층을 열증발법, CVD, PVD, 소결법, 용액 공정법, 침전법, 핫-인젝션(hot-injection)법 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 광전 소자 제조 방법
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제14항 또는 제16항에 있어서, 상기 광전 소자는 상기 활성층에 정공을 공급하는 정공 수송층과 상기 활성층에 전자를 공급하는 전자 수송층을 더 포함하는 LED이며, 기판 위에 양극을 형성하는 단계 이후 상기 정공 수송층, 활성층 및 전자 수송층을 형성하며, 상기 양극을 형성한 다음, 상기 양극 표면을 UV 오존 처리, 산소 및 수소 플라즈마 처리, 할로겐 표면처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자 제조 방법
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제14항 또는 제16항에 있어서, 상기 활성층을 산소 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자 제조 방법
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