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I-Ⅲ-VI계 삼성분계 Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계; 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점에 Zn을 합금화하여 I-Ⅲ-VI계 사성분계 Zn-Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하거나 Al을 합금화하여 Cu-Ga-Al-S 코어 양자점을 형성하는 단계; 및상기 Zn-Cu-Ga-S 또는 Cu-Ga-Al-S 코어 양자점 상에 ZnS 쉘을 형성하는 단계를 포함하고,상기 Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는 Cu, Ga 및 S의 전구체, 황 및 용매를 혼합한 혼합 용액을 가열하여 수행하며,상기 Zn-Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점이 형성되어 있는 상기 혼합 용액 안에 Zn 전구체를 첨가하여 수행하고, 상기 Cu-Ga-Al-S 코어 양자점을 형성하는 단계는 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점이 형성되어 있는 상기 혼합 용액 안에 Al 전구체를 첨가하여 수행하며,상기 Zn이나 Al 합금화시 상기 Zn 전구체 또는 Al 전구체의 일부는 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점으로 도입되어 합금화되고 나머지는 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점 표면을 패시베이션하는 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계에서 Cu 전구체와 Ga 전구체의 몰비인 Cu/Ga는 1/8이고, 상기 Zn-Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계에서 Zn 전구체와 상기 Cu 전구체의 몰비인 Zn/Cu는 4 내지 24인 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 Zn-Cu-Ga-S 코어 양자점 상에 ZnS 쉘을 형성하는 단계 동안에 상기 Zn-Cu-Ga-S 코어 양자점에 Zn이 추가 합금화되는 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 ZnS 쉘을 형성하는 단계는 ZnS 스톡 용액을 적용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 ZnS 쉘을 형성하는 단계는 두 번 이상 연속하여 수행하는 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 두 번 이상 연속하여 수행할 때에 각 ZnS 스톡 용액의 농도 및 반응 온도를 달리하는 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는 요오드화 구리(CuI), 요오드화 갈륨(GaI), 1-도데칸티올(Dodecanethiol), 황(sulfur), 및 올레일아민(oleylamine)을 혼합한 혼합 용액을 가열하여 수행하고,상기 Zn-Cu-Ga-S 코어 양자점을 형성하는 단계는상기 Cu-Ga-S 코어 양자점이 형성되어 있는 상기 혼합 용액 안에 ZnCl2를 첨가하여 수행하며,상기 ZnS 쉘을 형성하는 단계는 아세트산 아연, 옥타데센과 올레산을 포함하는 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계와, 스테아르산 아연, 옥타데센과 1-도데칸티올을 포함하는 다른 ZnS 스톡 용액을 적용하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 Cu-Ga-S 코어 양자점에서 몰비로 Cu : Ga는 1:10 ~ 1:1이고, 상기 Zn-Cu-Ga-S 코어 양자점에서 몰비로 Cu : (Zn + Ga)은 1:10 ~ 1:1이며 상기 Cu-Ga-Al-S 코어 양자점에서 몰비로 Cu : (Ga + Al)은 1:10 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 청색 발광 양자점 제조 방법
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