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전력 스위칭 트랜지스터, 및 상기 전력 스위칭 트랜지스터의 구동 신호를 입력받고 상기 구동 신호를 증폭하여 구동 게이트 전류를 생성하는 게이트 전류 부스터가 일체화되어 형성된 모놀리식 집적 회로칩 구조를 가지는 질화갈륨계 전력 스위칭 장치에 있어서,상기 게이트 전류 부스터는,소스 단자는 접지되고, 게이트 단자를 통하여 상기 구동 신호를 인가받으며, 드레인 단자는 상기 전력 스위칭 트렌지스터의 게이트 단자에 연결된 구동 트랜지스터; 및일단은 상기 전력 스위칭 트렌지스터의 게이트 단자에 연결되고, 타단은 제1 전원에 연결되어, 가변적인 저항값을 제공하는 가변 저항을 포함하되,상기 구동 트랜지스터는 상시불통형인 질화갈륨계 전력 스위칭 장치
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청구항 1에 있어서,상기 구동 트랜지스터는,기판;상기 기판 위에 형성된 질화갈륨계 물질인 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 질화알루미늄갈륨계 물질인 배리어층;상기 배리어층 위에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극; 및상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극 사이에 위치하며, 상기 게이트 절연층에 의하여 상기 배리어층과 이격되는 제1 게이트 전극을 포함하는 질화갈륨계 전력 스위칭 장치
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청구항 1에 있어서,상기 가변 저항은,기판;상기 기판 위에 형성된 질화갈륨계 물질인 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 질화알루미늄갈륨계 물질인 배리어층;상기 배리어층 위에 형성된 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제1 오믹 전극 및 제2 오믹 전극을 포함하는 질화갈륨계 전력 스위칭 장치
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청구항 2에 있어서,상기 가변 저항은,상기 기판;상기 버퍼층;상기 배리어층;상기 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제1 오믹 전극 및 제2 오믹 전극을 포함하는 질화갈륨계 전력 스위칭 장치
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청구항 1에 있어서,상기 전력 스위칭 트랜지스터는,기판;상기 기판 위에 형성된 질화갈륨계 물질인 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 질화알루미늄갈륨계 물질인 배리어층;상기 배리어층 위에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극; 및상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 드레인 전극 사이에 위치하며, 상기 게이트 절연층에 의하여 상기 배리어층과 이격되는 제2 게이트 전극을 포함하는 질화갈륨계 전력 스위칭 장치
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청구항 2 또는 청구항 4에 있어서,상기 전력 스위칭 트랜지스터는,상기 기판;상기 버퍼층;상기 배리어층;상기 게이트 절연층;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극; 및상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 드레인 전극 사이에 위치하며, 상기 게이트 절연층에 의하여 상기 배리어층과 이격되는 제2 게이트 전극을 포함하는 질화갈륨계 전력 스위칭 장치
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청구항 6에 있어서,상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극의 소스-드레인 거리인 제1 거리는, 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 드레인 전극의 소스-드레인 거리인 제2 거리의 2분의 1인 질화갈륨계 전력 스위칭 장치
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