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반도체 제조설비와 연통된 배기라인;상기 배기라인 외주면을 개방되게 감싸는 에어로겔 단열층; 및상기 배기라인 내주면에 형성된 산화 촉매층을 포함하고,상기 에어로겔 단열층은 평균 입경이 1 ㎛ ~ 50 ㎛이고, 열전도도는 5 mW/mk ~ 30 mW/mk이며, 밀도는 0
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제1항에 있어서,상기 에어로겔 단열층은 고상 또는 시트형태로 배기라인 외주면을 감싸는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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제1항에 있어서, 상기 산화 촉매층은 혼합 무기물 담체 및 상기 혼합 무기물 담체에 담지되는 귀금속 성분과 전이금속 산화물을 포함하고, 상기 혼합 무기물 담체는 무기물 담체 및 복합 산화물이 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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제3항에 있어서, 상기 무기물 담체는 감마알루미나, 세타알루미나, 예타알루미나, 보에마이트 및 의보에마이트로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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제3항에 있어서, 상기 복합 산화물은 AMO3의 화학식을 가지고, 상기 화학식에서 A는 La, Y, Ce, Li, Na 및 Cs로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속이며, M는 Mo, Fe, Co, Ni, Ti, Ag 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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제3항에 있어서, 상기 귀금속 성분은 백금, 팔라듐, 로듐 및 이리듐으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상이고, 상기 전이금속 산화물은 W, Mn, Cu 및 Zn으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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제3항에 있어서,상기 산화 촉매층은 무기물 담체 100 중량부에 대하여, 복합산화물 10 내지 65 중량부, 귀금속 성분 0
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제1항에 있어서,상기 에어로겔 단열층은 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 산화 촉매층은 두께가 10 ㎛ 내지 300 ㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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제1항에 있어서,상기 반도체 제조설비의 배기라인 구조는 배기라인 및 에어로겔 단열층 사이 또는 에어로겔 단열층 외주면에 나선형으로 권취되는 열선부재가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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제10항에 있어서, 상기 열선부재는 배기라인의 가스 유입부로부터 가스 배출부로 갈수록 열선부재 간의 간격이 작아지도록 권취되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기라인 구조
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