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자화를 이용한 반도체 코팅막 제조방법

  • 기술번호 : KST2019035935
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강자성체가 포함된 반도체를 자화시키는 공정을 이용하여 자화 전에 비하여 반도체의 전자이동도를 높여주고 밴드갭 에너지를 낮추어 주어 반도체 성능을 향상시킬 수 있는 자화를 이용한 반도체 코팅막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 자화를 이용한 반도체 코팅막 제조방법에 관한 것으로서, 제조된 코팅막은 자화단계를 거치지 않은 코팅막에 비해 밴드갭 에너지가 낮아져 반도체 성능 및 광촉매 성능이 개선되며, 이를 이용하여 태양전지용 전극을 제조할 경우 태양전지의 발전 효율의 개선을 기대할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 21/56 (2006.01.01) H01L 43/12 (2006.01.01) H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01)
출원번호/일자 1020160160174 (2016.11.29)
출원인 선문대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1860231-0000 (2018.05.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김학수 대한민국 서울특별시 강남구
2 백승배 대한민국 충청남도 아산시
3 이수완 대한민국 충청남도 천안시 동남구
4 김태호 대한민국 충청남도 천안시 서북구
5 김대현 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1168540-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011586-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0661172-41
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1150158-47
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1250134-75
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0036345-48
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0167615-56
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0343674-77
10 법정기간연장승인서
2018.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0054585-04
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.04.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0417575-13
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0417574-78
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0312916-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5169188-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체를 포함하는 반도체조성물을 마련하는 단계;상기 반도체조성물에 강자성체를 혼합하여 반도체-강자성체 복합물을 만드는 단계;상기 반도체-강자성체 복합물을 이용하여 기재 상에 반도체-강자성체 코팅막을 형성하는 단계;상기 반도체-강자성체 코팅막을 자화시키는 단계; 를 포함하며,상기 반도체는 광촉매 물질이며, 상기 광촉매 물질은 TiO2, ZnO, CdS, ZrO2, V2O3, WO3, 및 페로브스카이트 중 선택되는 적어도 하나이거나 또는 둘 이상의 복합체이고, 상기 강자성체는 Fe3O4, Mn, Co, 및 Ni의 원소가 포함된 화합물 중 선택되는 적어도 하나이거나 또는 둘 이상의 복합체인 것; 을 특징으로 하는 밴드갭 에너지가 감소하고 전자이동도가 향상되어 광전변환효율이 개선된 자화를 이용한 반도체 코팅막 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에서, 상기 코팅막을 자화시키는 단계와 상기 코팅막을 형성하는 단계 사이에는 상기 코팅막 상에 다른 물질층을 형성하거나 결합하는 단계를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 밴드갭 에너지가 감소하고 전자이동도가 향상되어 광전변환효율이 개선된 자화를 이용한 반도체 코팅막 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에서, 상기 반도체-강자성체 복합물의 형상은 페이스트, 혼합용액, 슬러리, 솔 및 겔 중 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 밴드갭 에너지가 감소하고 전자이동도가 향상되어 광전변환효율이 개선된 자화를 이용한 반도체 코팅막 제조방법
7 7
제1항에서, 상기 자화는 0
8 8
삭제
9 9
제1항의 방법에 의해 제조된 코팅막을 포함하는 전극층
10 10
제1항의 방법에 의해 제조된 코팅막을 포함하는 염료감응 태양전지
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1 WO2018101665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2018101665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 선문대학교 글로벌연구실사업 환경 친화 응용 다기능 나노 소재 및 공정 기술 개발