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하기 화학식 1의 화합물, 이들의 거울상 이성질체 또는 부분입체이성질체, 또는 이들의 약제학적으로 허용되는 산 또는 염기와의 부가염:[화학식 1]상기 식에서, 상기 R은 아민, N을 1 또는 2개 포함하는 5원 또는 6원의 방향성 또는 비방향성 헤테로고리 아민, F3CO-, C6-C10의 아릴 및 C1-C4의 알콕시로 이루어진 군으로부터 중복가능하게 선택된 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 C6-C10의 아릴이다
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제1항에 있어서, 상기 화합물은 1);2);3);4);5);6);7); 및8);로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 화합물
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하기 화학식 2의 화합물, 이들의 거울상 이성질체 또는 부분입체이성질체, 또는 이들의 약제학적으로 허용되는 산 또는 염기와의 부가염:[화학식 2]상기 식에서,상기 R은 아민, N을 1 또는 2개 포함하는 5원 또는 6원의 방향성 또는 비방향성 헤테로고리 아민, F3CO-, C6-C10의 아릴 및 C1-C4의 알콕시로 이루어진 군으로부터 중복가능하게 선택된 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 C6-C10의 아릴이다
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제4항에 있어서, 상기 화합물은 1);2);3);4);5);6); 및7);로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 화합물
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하기 화학식 3의 화합물, 이들의 거울상 이성질체 또는 부분입체이성질체, 또는 이들의 약제학적으로 허용되는 산 또는 염기와의 부가염:[화학식 3]
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하기 반응식 1로 나타나는 화학식 1의 화합물 제조방법으로서,[반응식 1]상기 식에서,상기 R은 아민, N을 1 또는 2개 포함하는 5원 또는 6원의 방향성 또는 비방향성 헤테로고리 아민, F3CO-, C6-C10의 아릴 및 C1-C4의 알콕시로 이루어진 군으로부터 중복가능하게 선택된 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 C6-C10의 아릴이고,상기 화학식 1-1의 화합물은 하기 반응식 1-1로 제조되는 것을 특징으로 하는, 화학식 1의 화합물 제조방법;[반응식 1-1]
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제8항에 있어서, 상기 R이 , , , , , , 또는 인 것을 특징으로 하는 화학식 1의 화합물의 제조방법
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하기 반응식 2로 나타나는 화학식 2의 화합물의 제조방법:[반응식 2]상기 식에서,상기 R은 아민, N을 1 또는 2개 포함하는 5원 또는 6원의 방향성 또는 비방향성 헤테로고리 아민, F3CO-, C6-C10의 아릴 및 C1-C4의 알콕시로 이루어진 군으로부터 중복가능하게 선택된 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 C6-C10의 아릴이다
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제12항에 있어서, 상기 R이 , , , , , 또는 인 것을 특징으로 하는 화학식 2의 화합물의 제조방법
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하기 반응식 3으로 나타나는 화학식 3의 화합물의 제조방법:[반응식 3]
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