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방사선 측정센서용 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019036242
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 방사선 측정센서용 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 기판상에 게이트 전극이 형성될 게이트영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트영역에 형성되는 게이트 절연막의 두께를 결정하고, 결정된 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 기판의 기판 농도를 조절하며, 결정된 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 게이트영역에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 소스와 드레인을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 게이트 전극의 길이 및 폭을 조절하여 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL G01T 1/24 (2006.01.01) H01L 29/772 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020150186392 (2015.12.24)
출원인 한국 천문 연구원
등록번호/일자 10-1670650-0000 (2016.10.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20161101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국 천문 연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대희 대한민국 대전광역시 유성구
2 남욱원 대한민국 대전광역시 유성구
3 이재진 대한민국 대전광역시 유성구
4 김성환 대한민국 대구광역시 수성구
5 이완규 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국 천문 연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1270005-83
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1273544-95
3 보정요구서
Request for Amendment
2016.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0003820-86
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0131949-97
5 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2016.02.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2016.02.22 수리 (Accepted) 9-1-2016-0009896-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0231378-96
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0514995-15
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0630118-99
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0630109-88
11 등록결정서
Decision to grant
2016.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0699225-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2018-5061989-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2018-5061983-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2018-5061979-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2018-5061990-39
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번호 청구항
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기판의 절연층에 게이트 전극이 형성될 게이트영역을 형성하는 단계;상기 게이트영역에 형성되는 게이트 절연막의 두께를 결정하고, 결정된 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 기판의 기판 농도, 상기 기판을 가열하는 온도 및 시간을 조절하며, 결정된 상기 게이트 절연막의 두께와 조절된 상기 기판 농도, 상기 기판을 가열하는 온도 및 시간에 따라 상기 게이트영역에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막의 두께에 따라 소스와 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 게이트 전극의 길이 및 폭을 조절하여 형성하는 단계;를 포함하되,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 상기 게이트 절연막은 습식 산화 방법을 통해 형성하며, 상기 게이트 절연막은 상기 절연층의 두께보다 두껍게 형성하되, 200nm ~ 1000nm의 두께로 형성하는 방사선 측정센서용 트랜지스터의 제조방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 950~1100℃의 온도에서 상기 게이트 절연막을 형성하는 방사선 측정센서용 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 수소가스와 산소가스를 통해 상기 게이트 절연막을 형성하며, 상기 수소가스와 산소가스의 가스압력이 30mTorr ~ 250mTorr인 방사선 측정센서용 트랜지스터의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판의 기판농도를 조절하는 단계에서, 상기 기판농도는 2
7 7
제1항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서, 상기 게이트 전극의 길이는 0
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1 WO2017111537 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2017111537 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 한국천문연구원 한국천문연구원운영경비 중소기업기술협력 및 성과확산