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패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019036452
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 금속 나노와이어가 매립된 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리에 의해 재료들 간의 접착력을 조절하는 방법으로 플렉서블 투명전극 패턴 형성이 가능한 새로운 전극 제조방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 종래 포토리소그래피를 사용하는 방법에 비하여 간단한 공정으로 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명은 그라비아 오프셋, 그라비아 프린팅 및 잉크젯 프링팅 등의 방법으로 패턴을 형성하는 방법에 비하여 고가의 장비를 필요로 하지 않고, 공정이 간단하며, 패턴의 선폭 조절이 용이한 장점이 있다. 본 발명의 제조방법으로 제조된 플렉서블 투명전극은 금속 나노와이어가 고분자 수지 내에 매립되어 표면이 평활하므로 전자재료에 적용 시 단락이 발생할 가능이 적으며, OLED, 태양 전지 등에 적용이 가능하다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) G06F 3/041 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020160040128 (2016.04.01)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1685069-0000 (2016.12.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20161209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.01)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종복 대한민국 경상북도 구미시
2 구봉준 대한민국 경상남도 밀양시
3 고동욱 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 테크놀로지아 경기도 시흥시 공단*대로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0316579-35
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0335492-52
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0360593-41
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.05.24 수리 (Accepted) 9-1-2016-0023589-51
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0409124-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0742553-85
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0742585-35
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0686264-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 수지로 이루어진 소수성 고분자 기판 위에, 마스크를 위치시키고 친수화 처리를 하여 마스크가 없는 부분을 친수화 처리하는 단계;b) 상기 마스크를 제거하고, 금속 나노와이어 용액을 이형층 또는 소수성 고분자 기판의 전면에 도포한 후 건조하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;c) 상기 금속 나노와이어 코팅층 위에 경화성 고분자 수지를 도포하고 경화하여 친수화 처리되지 않은 부분의 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및d) 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 상기 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 고분자 필름은 비상용성인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter) δ1와 경화성 고분자 수지의 용해도 파라미터 δ2의 차이 값인, 하기 식 1의 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 친수화 처리 전 이형층 또는 소수성 고분자 기판 표면의 물에 대한 접촉각이 65°이상이고, 상기 친수화 처리 후 이형층 표면의 물에 대한 접촉각이 50°이하인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지는 올레핀계 수지, 비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아마이드계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리에테르 설폰계 수지, 폴리아세탈계 수지 및 폴리아크릴계수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공중합체인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지, 적외선 경화형 고분자수지에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 이형층이 형성된 기판에서, 기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 고분자, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 마스크는 실록산계 중합체, 실리콘고무 또는 금속 재질로 이루어진 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2, Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 친수화 처리 시, 처리조건은 금속 나노와이어와 경화성 고분자 수지 간의 접착력을 A1이라 하고, 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 금속 나노와이어 간의 접착력을 A2라 할 때, 하기 식 3을 만족하도록 하는 범위로 수행하는 것인 플렉서블 투명전극의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
12 12
제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어가 정제수, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 부틸카비톨에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 용매에 0
13 13
제 1항에 있어서,상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 d)단계에서, 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리 시 물리적인 힘을 가함으로써 이형층으로부터 분리하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
15 15
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16 16
삭제
17 17
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 금오공과대학교 산학협력단 이공학개인기초연구지원사업(기본연구) 메탈 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 다기능화
2 산업통상자원부 (주)코오롱 에너지기술개발사업 유연 유기태양전지 모듈 및 이를 적용한 off-grid 지능형 광고 미디어 제품 개발
3 미래창조과학부 금오공과대학교 산학협력단 ICT 융합 고급인력과정 지원사업 글로컬 ICT 융합 연구개발형 전문 인력 양성 사업