요약 | 본 발명은 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 금속 나노와이어가 매립된 플렉서블 투명전극의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리에 의해 재료들 간의 접착력을 조절하는 방법으로 플렉서블 투명전극 패턴 형성이 가능한 새로운 전극 제조방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 종래 포토리소그래피를 사용하는 방법에 비하여 간단한 공정으로 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명은 그라비아 오프셋, 그라비아 프린팅 및 잉크젯 프린팅 등의 방법으로 패턴을 형성하는 방법에 비하여 고가의 장비를 필요로 하지 않고, 공정이 간단하며, 패턴의 선폭 조절이 용이한 장점이 있다. 본 발명의 제조방법으로 제조된 플렉서블 투명전극은 금속 나노와이어가 고분자 수지 내에 매립되어 표면이 평활하므로 전자재료에 적용 시 단락이 발생할 가능이 적으며, OLED, 태양 전지 등에 적용이 가능하다. |
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Int. CL | H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) |
CPC | H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020160161345 (2016.11.30) |
출원인 | 금오공과대학교 산학협력단, 주식회사 테크놀로지아 |
등록번호/일자 | 10-1705583-0000 (2017.02.06) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20170213) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2016.11.30) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 금오공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 구미시 |
2 | 주식회사 테크놀로지아 | 대한민국 | 경기도 시흥시 공단대로 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김종복 | 대한민국 | 경상북도 구미시 |
2 | 고동욱 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
3 | 구봉준 | 대한민국 | 경상남도 밀양시 |
4 | 진대순 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
5 | 허다혜 | 대한민국 | 대구광역시 달서구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 플러스 | 대한민국 | 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 주식회사 테크놀로지아 | 경기도 시흥시 공단*대로 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2016.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1174218-16 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2016.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1199093-14 |
3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0032419-01 |
4 | 등록결정서 Decision to grant |
2017.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0053499-15 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5140716-67 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.04.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5079599-14 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 a) 기판 상에 형성된 소수성 고분자 수지로 이루어진 이형층 또는 소수성 고분자 수지로 이루어진 소수성 고분자 기판 위에, 금속 마스크를 위치시키고 상기 기판과 금속 마스크를 고정시키기 위한 고정부재 존재 하에 친수화 처리를 하여 마스크가 없는 부분을 친수화 처리하는 단계;b) 상기 금속 마스크 및 고정부재를 제거하고, 금속 나노와이어 용액을 이형층 또는 소수성 고분자 기판의 전면에 도포한 후 건조하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;c) 상기 금속 나노와이어 코팅층 위에 경화성 고분자 수지를 도포하고 경화하여 친수화 처리되지 않은 부분의 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및d) 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 상기 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 고분자 필름은 비상용성인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
2 |
2 제 1항에 있어서,상기 a)단계에서, 상기 고정부재는 자석인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
3 |
3 제 1항에 있어서,상기 a)단계에서, 상기 고정부재는 자석 및 지그로 이루어지는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
4 |
4 제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지의 용해도상수(solubility parameter) δ1와 경화성 고분자 수지의 용해도 파라미터 δ2의 차이 값인, 하기 식 1의 Δδ가 하기 식 2를 만족하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
5 |
5 제 1항에 있어서,상기 친수화 처리 전 이형층 또는 소수성 고분자 기판 표면의 물에 대한 접촉각이 65°이상이고, 상기 친수화 처리 후 이형층 표면의 물에 대한 접촉각이 50°이하인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
6 |
6 제 1항에 있어서,상기 소수성 고분자 수지는 올레핀계 수지, 비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아마이드계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리설폰계 수지, 폴리에테르 설폰계 수지, 폴리아세탈계 수지 및 폴리(메타)아크릴계수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공중합체인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
7 |
7 제 1항에 있어서,상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지 및 적외선 경화형 고분자수지에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
8 |
8 제 1항에 있어서,상기 이형층이 형성된 기판에서, 기판은 실리콘, 석영, 유리, 실리콘 웨이퍼, 고분자, 금속 및 금속 산화물에서 선택되는 어느 하나인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
9 |
9 제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
10 |
10 제 9항에 있어서,상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2 및 Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
11 |
11 제 9항에 있어서,상기 친수화 처리 시, 처리조건은 금속 나노와이어와 경화성 고분자 수지 간의 접착력을 A1이라 하고, 이형층 또는 소수성 고분자 기판과 금속 나노와이어 간의 접착력을 A2라 할 때, 하기 식 3을 만족하도록 하는 범위로 수행하는 것인 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
12 |
12 제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50㎛, 종횡비가 500 ~ 800인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
13 |
13 제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어가 정제수, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜 및 부틸카비톨에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 용매에 0 |
14 |
14 제 1항에 있어서,상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅 및 롤투롤 코팅에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
15 |
15 제 1항에 있어서, 상기 d)단계에서, 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리 시 물리적인 힘을 가함으로써 이형층으로부터 분리하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 |
16 |
16 제 1항에 있어서,상기 d)단계에서, 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층의 금속 나노와이어는 끊어짐 없이 길이가 유지되는 것인 투명전극의 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2018101540 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2018101540 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 미래창조과학부 | (주)테크놀로지아 | K-Global ICT 유망기술개발지원 | WQXGA급 웨어러블 디스플레이 소자, 투명전극 비용절감 공정기술 개발 |
2 | 교육부 | 금오공과대학교 산학협력단 | 이공학개인기초연구지원사업 (기본연구) | 메탈 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 다기능화 |
3 | 미래창조과학부 | 금오공과대학교 산학협력단 | ICT 융합 고급인력과정 지원사업 | 글로컬 ICT 융합 연구개발형 전문 인력 양성 사업 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1705583-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20161130 출원 번호 : 1020160161345 공고 연월일 : 20170213 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20170120 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 31/0224 발명의 명칭 : 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20200207 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 금오공과대학교 산학협력단 경상북도 구미시 ... |
1 |
(권리자) 주식회사 테크놀로지아 서울특별시 마포구... |
2 |
(권리자) 주식회사 테크놀로지아 경기도 시흥시 공단*대로... |
2 |
(의무자) 금오공과대학교 산학협력단 경상북도 구미시 ... |
3 |
(권리자) 신용보증기금(마포지점) 대구 동구... |
3 |
(의무자) 주식회사테크놀로지아 구미시 대학로 **, 산학... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 267,600 원 | 2017년 02월 07일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2016.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1174218-16 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2016.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1199093-14 |
3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0032419-01 |
4 | 등록결정서 | 2017.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0053499-15 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5140716-67 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.04.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5079599-14 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345255451 |
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세부과제번호 | 2015R1D1A1A01060134 |
연구과제명 | 메탈 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 다기능화 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201611~201710 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1711035211 |
---|---|
세부과제번호 | H8601-16-1011 |
연구과제명 | 글로컬 ICT융합 연구개발형 전문 인력 양성 사업 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201601~201612 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711037998 |
---|---|
세부과제번호 | R7317-16-0005 |
연구과제명 | WQXGA급 웨어러블 디스플레이 소자, 투명전극 비용절감 공정기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201605~201612 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345255451 |
---|---|
세부과제번호 | 2015R1D1A1A01060134 |
연구과제명 | 메탈 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 다기능화 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201611~201710 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1711035211 |
---|---|
세부과제번호 | H8601-16-1011 |
연구과제명 | 글로컬 ICT융합 연구개발형 전문 인력 양성 사업 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201601~201612 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711037998 |
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세부과제번호 | R7317-16-0005 |
연구과제명 | WQXGA급 웨어러블 디스플레이 소자, 투명전극 비용절감 공정기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201605~201612 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020170176176] | 그래핀 기준전극 제조 방법 | 새창보기 |
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심판사항 정보가 없습니다 |
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