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(a) 기판 상에, (i) 메틸암모늄 요오드화물(methylammonium iodide, MAI) 및 요오드화 납(lead iodide, PbI2) 또는 (ii) 메틸암모늄 요오드화물(methylammonium iodide, MAI), 요오드화 납(lead iodide, PbI2) 및 염화납(PbCl2)을 포함하는 제1 혼합용액을 스핀코팅하여 페로브스카이트 코팅층을 형성하는 단계; (b) 상기 페로브스카이트 코팅층 상에 풀러렌 유도체(fullerene derivative) 및 무극성 유기용매를 포함하는 제2 혼합용액을 도포하여 상기 페로브스카이트 코팅층을 세척하는 단계; 및 (c) 상기 단계에서 세척한 페로브스카이트 코팅층을 열처리하여 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계를 포함하는 페로브스카이트 광흡수층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 혼합용액은 디메틸포름아미드(dimethylformamide, DMF), 디메틸설폭시화물(dimethyl sulfoxide, DMSO) 및 감마부티로락톤(gamma-butyrolactone)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 무극성 유기용매는 클로로벤젠(chlorobenzene, CBZ), 톨루엔(toluene) 및 에테르(ether)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 풀러렌 유도체(fullerene derivative)는 PCBM([6,6]-phenyl-C 61-butyric acid methyl ester)인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제2 혼합용액은 1 내지 10 mg/mL의 농도로 상기 PCBM을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층의 제조방법
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제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 페로브스카이트 광흡수층을 포함하는 태양전지
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