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기판; 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고,상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극 및 드레인 서브전극이 양단부에 형성되는 복수개의 금속배선을 서로 이격하여 배열한 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터
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기판; 상기 기판에 연결되는 게이트 전극;상기 기판 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 위에 형성되는 층간전극; 상기 층간전극 위에 SiOC 박막으로 이루어진 또 하나의 게이트 절연막;을 형성하고, 상기 층간전극과 상기 또 하나의 게이트 절연막이 교대로 반복하여 적층되며,상기 교대로 반복하여 적층된 상기 층간전극 및 상기 게이트 절연막 중 최상위에 적층된 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부;를 포함하며,상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극 및 드레인 서브전극이 양단부에 형성되는 복수개의 금속배선을 서로 이격하여 배열한 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터
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제 3항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 기판 위에 형성되는 상기 게이트 절연막의 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터
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제 3항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 기판 위의 가장자리 쪽에 상기 게이트 절연막의 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터
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제 3항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 기판의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터
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제 3항에 있어서,상기 게이트 절연막의 허용 유전상수는 0
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제 3항에 있어서,상기 층간전극은 알루미늄(Al), 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극, CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터
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양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치로서,게이트 전극과 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 상기 양방향성 트랜지스터는,기판; 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극 및 드레인 서브전극이 양단부에 형성되는 복수개의 금속배선을 서로 이격하여 배열하여, 상기 드레인 전극에 부하가 연결되고, 상기 부하에 전원이 연결되며, 상기 전원의 (-) 단자, 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극이 접지되어, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에는 확산전류에 의하여 누설전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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제 10항에 있어서, 상기 양방향성 트랜지스터는, 상기 게이트 절연막 위에 형성되는 층간전극; 상기 층간전극 위에 SiOC 박막으로 이루어진 또 하나의 게이트 절연막;을 형성하고, 상기 층간전극과 상기 또 하나의 게이트 절연막이 교대로 반복하여 적층되며,상기 교대로 반복하여 적층된 상기 층간전극 및 상기 게이트 절연막 중 최상위에 적층된 게이트 절연막 위에 상기 소스 전극부 및 상기 드레인 전극부가 형성된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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제 10항에 있어서,상기 게이트 전극에는 전원이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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제 12항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 전원 사이에는 감도를 제어하기 위한 가변저항이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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제 10항에 있어서,상기 드레인 전극에는 커패시터와 휘스톤 브리지가 병렬연결되는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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제 11항에 있어서,상기 게이트 전극에는 전원이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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제 15항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 전원 사이에는 감도를 제어하기 위한 가변저항이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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제 11항에 있어서,상기 드레인 전극에는 커패시터와 휘스톤 브리지가 병렬연결되는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 누설전류 차단장치
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