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양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서

  • 기술번호 : KST2019036709
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서에 관한 것으로, 상기 양방향 트랜지터는 기판: 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과, 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 교대로 반복하여 배열한 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G01N 27/02 (2006.01.01) G01N 27/26 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01)
출원번호/일자 1020170079298 (2017.06.22)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2014313-0000 (2019.08.20)
공개번호/일자 10-2019-0000222 (2019.01.02) 문서열기
공고번호/일자 (20190826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오데레사 대한민국 충청북도 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0601277-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2018-0012199-70
4 협의요구서
Request for Consultation
2018.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0569487-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0569489-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1036446-85
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1039252-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1036437-74
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0117490-64
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0183205-14
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0183160-47
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0294206-76
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0645760-35
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0645668-32
15 등록결정서
Decision to grant
2019.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0596715-09
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번호 청구항
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게이트 전극에 연결되는 센서부;드레인 전극에 연결되는 전원부;소스 전극에 연결되는 표시부를 포함하고, 소스와 드레인 전극 사이에는 확산전류에 의한 전기신호를 받을 수 있도록 한 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서로서, 상기 게이트 전극과 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 상기 양방향성 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극 및 드레인 서브전극이 양단부에 형성되는 복수개의 금속배선을 서로 이격하여 배열한 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서
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제 10항에 있어서,상기 양방향성 트랜지스터는, 상기 게이트 절연막 위에 형성되는 층간전극;상기 층간전극 위에 SiOC 박막으로 이루어진 또 하나의 게이트 절연막;을 더 형성하며,상기 층간전극과 상기 또 하나의 게이트 절연막이 상기 게이트 절연막과 상기 소스 전극부 및 상기 드레인 전극부 사이에 교대로 반복하여 적층된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서
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제 10항에 있어서,상기 게이트 전극에 연결되는 센서부 앞에는 감도를 제어하기 위한 가변저항이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서
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제 10항에 있어서,상기 드레인 전극에 연결되는 전원부는 휘스톤 브리지를 포함하는 교류전원이 연결되는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.