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서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019036710
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지는 기판의 상부에 적층되며, 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 물질층을 포함하는 p형 투명전도막, 상기 p형 투명전도막의 상부에 적층되며, 서브 마이크로미터 두께를 가지는 광 흡수층, 상기 광 흡수층의 상부에 적층되며 상기 광 흡수층과 p-n 접합층을 이루는 n형 버퍼층, 및 상기 n형 버퍼층의 상부에 적층되며, 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 물질층을 포함하는 n형 투명전도막을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0232 (2014.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020170115374 (2017.09.08)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1919611-0000 (2018.11.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김제하 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0875718-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0001993-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0316317-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0675169-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0675171-66
7 등록결정서
Decision to grant
2018.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0764285-74
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번호 청구항
1 1
기판의 상부에 적층되며, 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 물질층을 포함하는 p형 투명전도막;상기 p형 투명전도막의 상부에 적층되며, 서브 마이크로미터 두께를 가지는 광 흡수층;상기 광 흡수층의 상부에 적층되며 상기 광 흡수층과 p-n 접합층을 이루는 n형 버퍼층; 및상기 n형 버퍼층의 상부에 적층되며, 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 물질층을 포함하는 n형 투명전도막을 포함하고,상기 p형 투명전도막 및 상기 n형 투명 전도막은전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 제1 투명 전도층;상기 제1 투명 전도층의 상부에 형성되어 금속 물질로 이루어진 금속 삽입층; 및상기 금속 삽입층의 상부에 형성되어 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 제2 투명 전도층으로 구성되고,상기 n형 버퍼층 및 상기 n형 투명전도막 사이에 n형 반도체 삽입층이 배치되는 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 투명 전도층 및 상기 제2 투명 전도층의 두께는 30 ㎚ 내지 100 ㎚인 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 금속 삽입층의 두께는 6 ㎚ 내지 10 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 투명 전도층 및 상기 제2 투명 전도층은 ITO(indium tin oxide)로 이루어지고,상기 금속 삽입층은 은(Ag)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지
7 7
제1항에 있어서,상기 광 흡수층의 두께는 0
8 8
제7항에 있어서,상기 광 흡수층은구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)의 조합인 화합물로 구성된 CIGS 또는 카드뮴(Cd) 및 텔루륨(Te)의 조합인 화합물로 구성된 CdTe로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지
9 9
제1항에 있어서,상기 기판의 상부에 형성되며 외부의 부하에 연결되어 전력을 생성하기 위한 적어도 하나의 p형 그리드 전극; 및상기 n형 투명전도막의 상부에 형성되며 외부의 부하에 연결되어 전력을 생성하기 위한 적어도 하나의 n형 그리드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지
10 10
제1항에 있어서,상기 광 흡수층으로 투과된 태양광을 반사시키도록 상기 기판 및 상기 p형 투명전도막 사이에 형성되는 금속막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지
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기판을 제공하는 단계;상기 기판의 상부에 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 물질층을 포함하는 p형 투명전도막을 적층하는 단계;상기 p형 투명전도막의 상부에 서브 마이크로미터 두께를 가지는 광 흡수층을 적층하는 단계;상기 광 흡수층의 상부에 상기 광 흡수층과 p-n 접합층을 이루는 n형 버퍼층을 적층하는 단계;상기 n형 버퍼층의 상부에 n형 반도체 삽입층을 적층하는 단계; 및상기 n형 반도체 삽입층의 상부에 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 물질층을 포함하는 n형 투명전도막을 적층하는 단계를 포함하고,상기 p형 투명전도막을 적층하는 단계는상기 기판의 상부에 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 제1 투명 전도층을 적층하는 단계;상기 제1 투명 전도층의 상부에 금속 물질로 이루어진 금속 삽입층을 적층하는 단계; 및상기 금속 삽입층의 상부에 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 제2 투명 전도층을 적층하는 단계를 포함하고,상기 n형 투명전도막을 적층하는 단계는상기 버퍼층의 상부에 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 제1 투명 전도층을 적층하는 단계;상기 제1 투명 전도층의 상부에 금속 물질로 이루어진 금속 삽입층을 적층하는 단계; 및상기 금속 삽입층의 상부에 전기 전도성 물질로 이루어진 투명한 제2 투명 전도층을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지의 제조방법
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13 13
삭제
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제11항에 있어서,상기 광 흡수층으로 투과된 태양광을 반사시키도록 상기 기판 및 상기 p형 투명전도막 사이에 금속막을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마이크로미터 두께의 광 흡수층을 포함하는 투명 박막 태양전지의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 산업통상자원부 (재)대구경북과학기술원 신재생에너지핵심기술개발 범용 무독성 칼코지나이드 광흡수층 기반 플렉시블 무기 박막태양전지 개발