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GaN 기판 상에 유전체마스크층을 형성하는 제1단계;상기 유전체마스크층을 패터닝하여 상기 GaN 기판의 일부 영역을 노출시키는 패턴홀이 구비된 나노패턴을 형성하는 제2단계;상기 나노패턴의 패턴홀에 의해 일부 영역이 노출된 상기 GaN 기판 상에 n-GaN 층을 선택적으로 성장시킨 후, 활성층 및 p-GaN 층을 순차적으로 선택적으로 성장시켜, 상기 패턴홀 당 하나의 단위 LED구조체를 형성하는 제3단계;상기 GaN 기판 상에 n형전극을 형성하고, 상기 단위 LED구조체 사이에 산화물을 증착하는 제4단계; 및상기 p-GaN 층 상에 p형전극을 형성하는 제5단계;를 포함하여 이루어지고,상기 제2단계 이후에 n-GaN 층을 성장시킨 후, 상기 나노패턴의 패턴홀 상측 영역에 패터닝된 제2유전체마스크층을 형성하여 상기 n-GaN 층의 일부 영역을 노출시키는 패턴홀이 구비된 제2나노패턴을 형성하여, 상기 제2나노패턴이 형성된 상기 n-GaN 층 상에 상기 패턴홀 당 하나의 상기 제3단계의 단위 LED구조체를 형성하는 것을 특징으로 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 GaN 기판은 u-GaN 층 상층에 n-GaN 층이 최상층으로 성장된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 GaN 기판은 u-GaN 층 상층에 n-GaN 층을 성장하는 도중에 u-GaN/n-GaN 층을 성장하거나, 도핑농도가 서로 다른 n-GaN 층을 복수개로 성장한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 GaN 기판은 u-GaN 층 상층에 n-GaN 층을 성장하는 도중에 u-GaN/n-GaN 층과 InAlGaN/n-GaN 층을 반복하여 성장한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 활성층은,InGaN인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 유전체마스크층은,산화물 또는 질화물 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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7
제 1항에 있어서, 상기 나노패턴은,원형 또는 다각형 형상의 패턴홀로 구현되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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8
제 7항에 있어서, 상기 나노패턴의 패턴홀은,사각형 또는 벌집형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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9
제 8항에 있어서, 상기 나노패턴의 패턴홀은,그 직경 또는 간격의 조절에 의해 해상도가 조절되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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10
제 1항에 있어서, 상기 단위 LED구조체는,MOCVD 방법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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11
제 1항에 있어서, 상기 단위 LED구조체는,피라미드 형태, 막대기 형태 및 사다리꼴 형태 중 어느 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 단위 LED구조체가 독립적으로 동작하도록 상기 n형전극 및 p형전극의 배선을 설계하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광다이오드 어레이의 제조방법
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14
제 1항 내지 제 11 및 제 13항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 디스플레이용 초소형 질화물계 발광다이오드 어레이
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15
제 14항에 있어서, 상기 단위 LED구조체는,절연체 베이스 기판을 사용한 경우에는 n형전극이 전면전극으로 배치되며,반도체형 베이스 기판을 사용한 경우에는 n형전극이 배면전극으로 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 초소형 질화물계 발광다이오드 어레이
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