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기판 상에 형성된 희생층 위에 서로 상이한 타입으로 도핑된 상부 반도체층 및 하부 반도체층을 형성하는 단계;상기 상부 반도체층 위에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 위에 ARC를 형성하는 단계;상기 상부 반도체층, 상기 하부 반도체층, 제 1 전극 및 상기 ARC를 포함하는 적층구조를 덮도록 상기 희생층 위에 섬유를 형성하는 단계;상기 섬유가 형성된 후, 상기 희생층을 제거하는 단계;상기 희생층이 제거된 자리에 상기 제 1 전극과 상이한 제 2 전극을 형성하는 단계; 및상기 섬유가 상기 제 2 전극을 덮을 수 있도록 상기 섬유를 확장시키거나 상기 섬유를 부가하는 단계를 포함하는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 반도체층 및 하부 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 희생층 위에 형성된 반도체층을 도핑하여 상기 반도체층의 상부와 하부에 각각 상이한 타입의 도핑층을 형성하는 단계; 또는상기 반도체층의 위에 상기 반도체층과 상이한 타입으로 도핑된 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 희생층을 제거하는 단계는,습식 에칭(wet etching)에 의해 상기 희생층을 리프트-오프(lift-off)하여 상기 기판과 함께 제거하는 단계를 포함하는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극, 상기 ARC, 또는 상기 제 2 전극의 패턴을 가이드하기 위한 패터닝 단계를 더 포함하는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 반도체층, 상기 하부 반도체층, 상기 제 1 전극, 상기 ARC 및 상기 제 2 전극을 포함하는 태양전지 유닛을 인접한 다른 태양전지 유닛과 분리시키기 위해 상기 섬유를 커팅하는 단계를 더 포함하는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 반도체층, 상기 하부 반도체층, 상기 제 1 전극, 상기 ARC 및 상기 제 2 전극을 포함하는 태양전지 유닛은 웨이퍼 상에서 제조되고,상기 태양전지 유닛은 상기 웨이퍼의 에지 부분에서 인접한 스트라이프들이 서로 연결되는 형태의 지그재그 패턴을 갖도록 형성되는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 반도체층 및 하부 반도체층은 p-n접합층인 것을 특징으로 하며,상기 p-n접합층은 상기 제 2 전극 위에 적층되고,상기 제 1 전극은 상기 p-n접합층 위에 적층되고, 상기 ARC는 상기 제 1 전극에 인접하여 상기 p-n접합층 위에 적층되거나 상기 1 전극 위에 적층되는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 p-n접합층은 가시광선 영역의 빛보다 더 긴 파장의 빛에 반응하여 전기에너지의 생산이 가능한 반도체 물질로 형성되는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 반도체 물질은 갈륨비소(GaAs), 실리콘(Si), 및 저마늄(GE) 중에서 선택된 적어도 하나의 반도체 물질을 포함하는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 p-n접합층은 p타입 반도체 층 및 상기 p타입 반도체 층과 인접하여 형성되는 n타입 반도체 층을 포함하고,외부로부터 입사된 빛에 반응하여 자유전자 또는 정공이 생성되는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 ARC를 형성하는 물질의 굴절률은 상기 p-n접합층을 형성하는 물질의 굴절률과 상기 섬유를 형성하는 물질의 굴절률 사이의 값을 갖는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극은 외부로부터 입사된 빛이 투과하여 상기 p-n접합층에 도달할 수 있도록 투명전극으로 구성되는 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 섬유는 폴리머(Polymer)인 섬유를 포함하는 태양전지의 제조방법
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