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제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 희생층, 상기 희생층 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성된 물질 패턴을 구비하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조물을 준비하는 단계;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 물질 패턴 상부에 일시적으로 본딩 가능한 물질을 형성한 후 제2 기판을 본딩하는 단계;상기 희생층으로부터 상기 제1 기판을 레이저 리프트 오프 공정에 의해 분리하는 단계;상기 제1 기판을 분리한 후 제3 기판을 상기 버퍼층에 본딩하는 단계; 및상기 제3 기판을 본딩한 후 상기 고전자 이동도 트랜지스터 구조물에서 상기 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 물질패턴은 순차적으로 적층된 물질층과 검지물질층으로 이루어지거나 단독으로 하여 검지물질층으로 이루어지고,상기 물질패턴은 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층의 일부가 식각되어 만들어진 리세스 영역에 일부분을 통해 채워지고 나머지 부분을 통해 상기 리세스 영역으로부터 돌출하도록 형성되고,상기 물질층은 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층과 상기 검지물질층 사이에서 검지 감도 향상, 보호 또는 절연을 위해 상기 리세스 영역을 컨포멀하게 덮는, 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 기판은 사파이어, AlN, Diamond, BN, SiC 및 GaN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 희생층은 상기 제1 기판 및 상기 GaN 계열의 버퍼층보다 낮은 에너지 밴드갭을 가지는 물질로 이루어진 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층의 x값은 0003c#x≤1 인 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 InxAl1-xN층의 x값은 0003c#x≤1 인 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 InxAlyGa1-x-yN층의 x와 y값은 0003c#x≤1, 0003c#y≤1, 0003c#(x+y)≤1 인 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 두께 10 nm 이하의 GaN cap 층이 추가로 형성된 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 일시적으로 본딩 가능한 물질은 포토레지스트, SOG(Spin On glass) 또는 전사테이프인 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 기판을 본딩하는 단계는 1
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제 1항에 있어서,상기 제2 기판은 Si, 유리 또는 고분자의 재료로 만들어지는 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 기판을 분리하는 단계는 레이저 리프트오프 공정에 의하여 수행되는 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제3 기판은 Si, Ge, Al, W, Cr, Ni, Cu 또는 이들의 합금; 비정질 AlN; 비정질 SiC; graphite; 나노카본; 또는 고분자의 재료로 만들어지는 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 13항 또는 제 15항에 있어서,상기 고분자는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트 (Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리노르보넨(Polynorbornene), 폴리아크릴레이드(polyacrylate), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES), 폴리스타일렌 (Polystyrene, PS), 폴리프로필렌 (Polypropylene, PP), 폴리에틸렌 (Polyethylene, PE), 폴리염화비닐 (polyvinylchloride, PVC), 폴리아미드 (Polyamide, PA), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (Polybutyleneterephthalate, PBT), 폴리메틸메타크릴레이트 (Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산 (Polydimethylsiloxane, PDMS)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 기판을 분리하는 단계는 리소그래피용 레지스트 리무버(Remover)를 사용하거나 80℃ 내지 200℃의 열을 가하여 수행되는 것인, 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법
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