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초박형 홀 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019036720
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초박형 홀 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 제1 실시예에 따른 초박형 홀 센서의 제조방법은, 웨이퍼 기판상에 희생층을 형성하는 단계; 희생층 위에 n형 컨택층을 형성하는 단계; n형 컨택층 위에 홀 센서 활성층을 형성하는 단계; 홀 센서 활성층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 버퍼층 상면에 전사(transfer) 대상 기판을 접합하는 단계; 및 희생층을 제거하여 상기 웨이퍼 기판을 상기 희생층 상부의 적층 구조체로부터 분리하는 단계를 포함한다.이와 같은 본 발명에 의하면, 홀 센서에 역구조의 박막 홀 센서층 성장을 통해 한 번에 홀 센서 소자를 대상 기판에 전사함으로써, 전사 횟수를 줄이고 공정을 단순화하여 수율을 향상시키고 제조비용을 감축할 수 있다.
Int. CL G01R 33/07 (2006.01.01) G01R 33/00 (2006.01.01)
CPC G01R 33/07(2013.01) G01R 33/07(2013.01)
출원번호/일자 1020160115769 (2016.09.08)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1808679-0000 (2017.12.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.08)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종민 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 송근만 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 김창완 대한민국 경기도 오산시 양산
4 조주영 대한민국 경기도 수원시 팔달구
5 최재혁 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0879074-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011896-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0279877-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0578418-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0578419-51
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0728289-88
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1152426-25
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.11.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1152427-71
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0824581-35
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번호 청구항
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a) 웨이퍼 기판상에 희생층을 형성하는 단계;b) 상기 희생층 위에 n형 컨택층을 형성하는 단계;c) 상기 n형 컨택층 위에 홀 센서 활성층을 형성하는 단계;d) 상기 홀 센서 활성층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상면에 전사(transfer) 대상 기판을 접합하는 단계; 및f) 상기 희생층을 제거하여 상기 웨이퍼 기판을 상기 희생층 상부의 적층 구조체로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 단계 a)에서 상기 희생층은 In, Ga, Al, P를 포함하는 화합물 반도체층으로 구성되며,상기 단계 c)에서 상기 홀 센서 활성층은 n형 GaAs 화합물 반도체 또는 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체로 형성되고,상기 2DEG(two-dimensional electron gas)를 이용한 화합물 반도체는AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/AlGaAs, InAlAs/InGaAs/InAlAs 중 어느 하나를 포함하며,상기 n형 컨택층, 홀 센서 활성층 및 버퍼층으로 구성되는 홀 센서층을 종래의 홀 센서층 성장 구조와는 반대의 역구조로 성장하여 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 홀 센서의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국나노기술원 나노.소재기술개발사업 화합물반도체 기반 고성능 HEMT 센서 및 고감도 자기센서 공정플랫폼 개발