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SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판 상에 반도체 에피층을 성장하는 방법에 있어서,패터닝 공정을 통해 GaAs의 성장이 필요한 영역의 실리콘(111)층을 제거하는 제1단계;상기 실리콘(111)층을 제거하고 그 상층에 절연막을 증착하는 제2단계;패터닝 공정을 통해 GaN의 성장이 필요한 영역의 상기 절연막을 제거하여 실리콘(111)층을 노출시키는 제3단계;상기 노출된 실리콘(111)층 상에 GaN버퍼층을 성장시키는 제4단계;상기 GaN버퍼층을 성장시킨 후 절연막을 증착하고, 청색LED에피층 영역의 패터닝에 의해 상기 청색LED에피층 영역의 GaN버퍼층을 노출시키는 제5단계;상기 청색LED에피층 영역의 노출된 GaN버퍼층 상에 청색LED에피층을 성장시키는 제6단계;상기 청색LED에피층을 성장시킨 후 절연막을 증착하고, 녹색LED에피층 영역의 패터닝에 의해 상기 녹색LED에피층 영역의 GaN버퍼층을 노출시키는 제7단계;상기 녹색LED에피층 영역의 GaN버퍼층 상에 녹색LED에피층을 성장시키는 제8단계;상기 녹색LED에피층을 성장시킨 후 절연막을 증착하고, 적색LED에피층(160) 영역의 패터닝에 의해 실리콘(001)층을 노출시키는 제9단계; 상기 노출된 실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을 형성하고 적색LED에피층을 성장시키는 제10단계; 및상기 청색LED에피층 및 녹색LED에피층 상부에 남은 절연막을 제거하는 제11단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,절연 격벽 또는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 격벽이 형성되어 상호 간에 전기적으로 절연하거나 빛에 의한 간섭을 제어할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,트렌치 구조 또는 격자 형태로 어레이되는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,각각 단일개로 이루어진 모듈 형태 또는 어느 하나가 복수개로 이루어진 모듈 형태로 구현되는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 4항에 있어서, 상기 모듈에는,백색LED가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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SOI(실리콘(001)층/절연물/실리콘(111)층) 기판 상에 반도체 에피층을 성장하는 방법에 있어서,패터닝 공정을 통해 GaN의 성장이 필요한 영역의 실리콘(001)층을 제거하는 (가)단계;상기 실리콘(001)층을 제거하고 그 상층에 절연막을 증착하는 (나)단계;패터닝 공정을 통해 GaN의 성장이 필요한 영역의 상기 절연막을 제거하여 상기 절연물을 노출시키는 (다)단계;상기 노출된 절연물 상에 GaN버퍼층을 성장시키는 (라)단계;상기 GaN버퍼층을 성장시킨 후 절연막을 증착하고, 청색LED에피층 영역의 패터닝에 의해 상기 청색LED에피층 영역의 GaN버퍼층을 노출시키는 (마)단계;상기 청색LED에피층 영역의 노출된 GaN버퍼층 상에 청색LED에피층을 성장시키는 (바)단계;상기 청색LED에피층을 성장시킨 후 절연막을 증착하고, 녹색LED에피층 영역의 패터닝에 의해 상기 녹색LED에피층 영역의 GaN버퍼층을 노출시키는 (사)단계;상기 녹색LED에피층 영역의 GaN버퍼층 상에 녹색LED에피층을 성장시키는 (아)단계;상기 녹색LED에피층을 성장시킨 후 절연막을 증착하고, 적색LED에피층 영역의 패터닝에 의해 실리콘(001)층을 노출시키는 (자)단계; 상기 노출된 실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을 형성하고 적색LED에피층을 성장시키는 (차)단계; 및상기 청색LED에피층 및 녹색LED에피층 상부에 남은 절연막을 제거하는 (카)단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 6항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,절연 격벽 또는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 격벽이 형성되어 상호 간에 전기적으로 절연하거나 빛에 의한 간섭을 제어할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 6항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,트렌치 구조 또는 격자 형태로 어레이되는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 6항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,각각 단일개로 이루어진 모듈 형태 또는 어느 하나가 복수개로 이루어진 모듈 형태로 구현되는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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제 9항에 있어서, 상기 모듈에는,백색LED가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법
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SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판;상기 실리콘(111)층 상에 형성되며, 청색LED에피층 영역 및 녹색LED에피층 영역에 형성된 GaN버퍼층;상기 청색LED에피층 영역의 GaN버퍼층 상에 형성된 청색LED에피층;상기 녹색LED에피층 영역의 GaN버퍼층 상에 형성된 녹색LED에피층;상기 실리콘(111)층 및 절연물의 식각에 의해 노출된 적색LED에피층 영역의 상기 실리콘(001)층 상에 형성되는 GaAs버퍼층; 및상기 GaAs버퍼층 상에 형성된 적색LED에피층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 11항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,절연 격벽 또는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 격벽이 형성되어 상호 간에 전기적으로 절연하거나 빛에 의한 간섭을 제어할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 11항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,트렌치 구조 또는 격자 형태로 어레이되는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 11항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,각각 단일개로 이루어진 모듈 형태 또는 어느 하나가 복수개로 이루어진 모듈 형태로 구현되는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 14항에 있어서, 상기 모듈에는,백색LED가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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SOI(실리콘(001)층/절연물/실리콘(111)층) 기판;상기 실리콘(001)층 상에 형성되며, 적색LED에피층 영역에 형성된 GaAs버퍼층;상기 GaAs버퍼층 상에 형성된 적색LED에피층;상기 실리콘(001)층 및 절연물의 식각에 의해 노출된 청색LED에피층 영역 및 녹색LED에피층 영역의 상기 실리콘(111)층 상에 형성되는 GaN버퍼층;상기 청색LED에피층 영역의 GaN버퍼층 상에 형성된 청색LED에피층;상기 녹색LED에피층 영역의 GaN버퍼층 상에 형성된 녹색LED에피층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 16항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,절연 격벽 또는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 격벽이 형성되어 상호 간에 전기적으로 절연되거나 빛에 의한 간섭을 제어할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 16항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,트렌치 구조 또는 격자 형태로 어레이되는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 16항에 있어서, 상기 녹색LED에피층, 청색LED에피층 및 적색LED에피층은,각각 단일개로 이루어진 모듈 형태 또는 어느 하나가 복수개로 이루어진 모듈 형태로 구현되는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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제 19항에 있어서, 상기 모듈에는,백색LED가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
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