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증착 홀을 구비하는 파인 메탈 마스크로서,마스크 기재 및상기 마스크 기재의 표면에서 유기물이 증착되는 영역인 증착면을 포함하는 영역에 옴니포빅 물질이 코팅되어 형성되는 나노쉴드층을 포함하며,상기 마스크 기재는 표면에서 상기 증착면을 포함하는 영역에 요철 패턴이 형성되고,상기 나노쉴드층은 상기 요철 패턴에 형성되며,상기 증착면은 상기 마스크 기재의 표면에서 상기 증착 홀 사이의 영역을 포함하며,상기 요철 패턴은 상기 나노쉴드층의 옴니포빅 특성을 증가시키며,상기 요철 패턴은 상기 마스크 기재의 표면으로부터 하부로 형성되는 트렌치 구조를 갖는 격자 형상 패턴 또는 벌집 형상 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항에 있어서,상기 트렌치 구조는 연장 방향에 수직인 방향의 폭이 1nm ~ 100㎛이 되도록 형성되며,상기 요철 패턴은 상기 트렌치 구조의 서로 이격되는 이격 거리가 10nm ~ 1,000㎛이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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증착 홀을 구비하는 파인 메탈 마스크로서,마스크 기재 및상기 마스크 기재의 표면에서 유기물이 증착되는 영역인 증착면을 포함하는 영역에 옴니포빅 물질이 코팅되어 형성되는 나노쉴드층을 포함하며,상기 마스크 기재는 표면에서 상기 증착면을 포함하는 영역에 요철 패턴이 형성되고,상기 나노쉴드층은 상기 요철 패턴에 형성되며,상기 증착면은 상기 마스크 기재의 표면에서 상기 증착 홀 사이의 영역을 포함하며,상기 요철 패턴은 상기 나노쉴드층의 옴니포빅 특성을 증가시키며,상기 요철 패턴은 상기 마스크 기재의 표면으로부터 상부로 돌출되는 돌기 구조로 형성되며,상기 돌기 구조는 원기둥, 사각 기둥, 육각 기둥, 원뿔대, 사각뿔대 또는 육각뿔대 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 요철 패턴은 에칭 공정에 의하여 불규칙한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 나노쉴드층과 요철 패턴은 상기 마스크 기재의 표면에서 상기 증착면과 반대면인 대향면에 더 형성되는 것을 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 마스크 기재와 상기 나노쉴드층 사이에 형성되어 상기 마스크 기재와 나노쉴드층의 결합력을 증가시키는 계면층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 나노쉴드층은 0
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 옴니포빅 물질은 CF(탄화불소)기 또는 CH(탄화수소)기를 포함하는 하기의 구조식(1)로 표시되는 실란계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 옴니포빅 물질은 (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trichlorosilane (HDF-S)인 것을 특징으로 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 옴니포빅 물질은 CF(탄화불소)기 또는 CH(탄화수소)기를 포함하는 하기의 구조식(2)로 표시되는 인산계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 옴니포빅 물질은 Octadecylphosphonic acid (OD-PA) 또는 (1H,1H,2H,2H-heptadecafluorodec-1-yl) phosphonic acid (HDF-PA)인 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 마스크 기재는 인바(INVAR) 합금, 철(Fe), 합금스테인레스 스틸(SUS), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 은(Ag), 티타늄(Ti), 니켈 코발트 합금, 모넬 합금, 인코넬 및 듀플렉스로 이루어진 군에서 선택되는 상대적으로 내부식성이 약한 금속 재질에 상대적으로 내부식성이 강한 금속 재질이 1층 또는 2층으로 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 파인 메탈 마스크
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