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ZnO 나노로드 어레이, 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019037040
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RF 스퍼터링시킨 ZnO 박막을 씨드층으로 이용한 수직 배열된 ZnO 나노로드 어레이; RF 스퍼터링법을 이용하여 Si 기판에 ZnO 박막으로 된 씨드층을 제조하는 단계, 및 상기 씨드층으로부터 ZnO 나노로드를 수직 성장시키는 단계를 포함하는 ZnO 나노로드 어레이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 실리콘 기판 위에 간단한 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 다양한 두께를 가지는 ZnO 박막을 씨드층으로 제조할 수 있다. 또한, 상기 스퍼터링법은 실온에서 수행할 수 있으므로, 종래와 같이 높은 온도와 고가의 공정들이 필요치 않아 공정 용이성 및 안정성이 우수한 효과를 가진다. 또한, 본 발명에서는 스퍼터링 시간을 달리하여 다양한 두께를 가지는 ZnO 씨드층 박막을 제조하고, 상기 씨드층으로부터 화학조 성장법(CBD)을 이용하여 수직 배열된 구조를 가지는 ZnO 나노로드 어레이를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160000693 (2016.01.04)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1738573-0000 (2017.05.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170522) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노진서 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이수찬 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0005748-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0039788-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0817108-64
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1292541-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1292542-28
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0328886-54
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번호 청구항
1 1
실온에서 RF 스퍼터링 시간이 증가함에 따라 씨드층 두께 및 씨드층 그레인의 크기가 증가하는 관계를 기반으로 실온에서 Si기판상에 ZnO의 RF스퍼터링 시간을 증가시켜 형성되는 ZnO 씨드층 박막의 두께 및 그레인 크기를 조절하고, 상기 씨드층의 두께 및 그레인 크기에 따라 ZnO 나노로드의 크기가 증가하는 관계를 기반으로 ZnO 나노로드의 크기를 조절하여 수직 성장시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노로드 어레이 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 RF 스퍼터링 시간은 15분 ~ 20분인 ZnO 나노로드 어레이 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 ZnO 나노로드의 수직 성장은 화학조 성장법(Chemical bath deposition)을 이용하는 것인 ZnO 나노로드 어레이의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 화학조 성장법은 환원제로서 헥사메틸렌테트라민(HMTA)을 사용하는 것인 ZnO 나노로드 어레이의 제조방법
5 5
상기 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 ZnO 나노로드 어레이
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
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11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.