맞춤기술찾기

이전대상기술

듀얼 게이트를 갖는 무접합 터널링 전계효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019037096
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무접합 터널링 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 불순물 도핑에 의하여 N+ 영역과 P+ 영역을 비대칭적으로 형성할 필요가 없어 공정이 간단하고, 문턱전압 이하 기울기(S)가 20 mV/dec 미만으로 종래 한계점(60 mV/dec)을 훨씬 뛰어 넘음으로써, 스위칭 특성을 획기적으로 개선하고 저전력 구동이 가능한 듀얼 게이트를 갖는 무접합 터널링 전계효과 트랜지스터를 제공한다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01.01) H01L 29/737 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01)
출원번호/일자 1020160145634 (2016.11.03)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1902843-0000 (2018.09.20)
공개번호/일자 10-2018-0049569 (2018.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20181001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.03)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조성재 대한민국 서울특별시 강남구
2 이준수 대한민국 경기도 성남시 중원구
3 조용범 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-1074645-75
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0650893-94
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1121204-81
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1121214-37
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0304233-44
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.05.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0517834-67
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0517845-69
8 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0417554-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
N+ 또는 P+의 동일 타입으로 도핑된 반도체 액티브층;상기 반도체 액티브층 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 소정의 간격으로 이격되어 형성된 조절 게이트와 제어 게이트;상기 조절 게이트에 인접하여 상기 반도체 액티브층에 전기적으로 접촉되도록 형성된 소스 전극; 및상기 소스 전극과 반대편에 상기 제어 게이트와 일정 거리 이격되어 상기 반도체 액티브층에 전기적으로 접촉되도록 형성된 드레인 전극을 포함하여 구성되되,상기 반도체 액티브층은 다수 반송자(majority carrier)가 축퇴 상태(degenerate state)로 있도록 불순물이 도핑되고,상기 조절 게이트는 상기 제어 게이트보다 큰 일함수를 갖는 물질로 형성되고,상기 반도체 액티브층은 Ge1-xSnx(0
5 5
N+ 또는 P+의 동일 타입으로 도핑된 반도체 액티브층;상기 반도체 액티브층 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 소정의 간격으로 이격되어 형성된 조절 게이트와 제어 게이트;상기 조절 게이트에 인접하여 상기 반도체 액티브층에 전기적으로 접촉되도록 형성된 소스 전극; 및상기 소스 전극과 반대편에 상기 제어 게이트와 일정 거리 이격되어 상기 반도체 액티브층에 전기적으로 접촉되도록 형성된 드레인 전극을 포함하여 구성되되,상기 반도체 액티브층은 다수 반송자(majority carrier)가 축퇴 상태(degenerate state)로 있도록 불순물이 도핑되고,상기 조절 게이트는 상기 제어 게이트보다 큰 일함수를 갖는 물질로 형성되고,상기 반도체 액티브층은 실리콘 기판에 게르마늄 완충층을 형성하고, 상기 게르마늄 완충층 상에 Ge1-xSnx(0
6 6
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 반도체 액티브층은 반도체 기판의 절연층 상에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 일정 길이와 높이를 갖고, 상기 길이와 높이에 수직인 방향으로 일정 두께를 갖는 반도체 핀의 형상을 갖고,상기 조절 게이트 및 상기 제어 게이트는 상기 반도체 핀을 감싸며 형성되고,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 반도체 핀의 양단에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트를 갖는 무접합 터널링 전계효과 트랜지스터
7 7
제 6 항에 있어서,상기 반도체 핀의 두께는 3~10 nm 이고,상기 조절 게이트와 상기 제어 게이트의 간격은 1~5 nm 인 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트를 갖는 무접합 터널링 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 가천대학교 산학협력단 신진연구자지원사업 GeSn을 소스 접합 물질로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터: 전자 및 광학 소자 응용