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저온 공정을 위한 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019037117
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 공정을 위한 페로브스카이트 태양전지(Perovskite Solar Cell) 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 음극; 상기 음극 상에 형성되고, 페로브스카이트 화합물을 포함하는 페로브스카이트층; 상기 페로브스카이트층 상에 형성된 정공 수송층; 및 상기 정공 수송층 상에 형성된 양극을 포함하고, 상기 음극은 EDOT:PSS 막과; 상기 PEDOT:PSS 막의 표면에 형성되고, 상기 PEDOT:PSS 막과 페로브스카이트층 간의 일함수(work function) 차이를 감소시키는 일함수 개질층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지(PSC), 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, PEDOT:PSS를 음극으로 하여 저온 공정 및 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정이 가능하여 경제성 및 생산성 등이 향상되고, 우수한 안정성을 갖는다.
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01)
출원번호/일자 1020170040743 (2017.03.30)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1873237-0000 (2018.06.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 시아오인 씨에 중국 중국 길림성
3 리 첸 중국 중국 길림성
4 즈하이 리우 중국 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인인터브레인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ****호(서초동, 강남빌딩)
2 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0313149-36
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0400093-97
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0026051-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0894112-10
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0034549-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0175425-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0175438-67
9 등록결정서
Decision to grant
2018.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0411853-18
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번호 청구항
1 1
음극; 상기 음극 상에 형성된 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성되고, 페로브스카이트 화합물을 포함하는 페로브스카이트층; 상기 페로브스카이트층 상에 형성된 정공 수송층; 및 상기 정공 수송층 상에 형성된 양극을 포함하고, 상기 음극은, PEDOT:PSS 막과, 상기 PEDOT:PSS 막의 표면에 형성되고, 상기 PEDOT:PSS 막과 페로브스카이트층 간의 일함수(work function) 차이를 감소시키는 일함수 개질층을 포함하며, 상기 전자 수송층은 플러렌 유도체를 포함하고, 상기 페로브스카이트층은 고형의 납할라이드(PbX2, X = Cl, Br 또는 I)를 열 기화시켜 상기 플러렌 유도체를 포함하는 전자 수송층 상에 납할라이드층(PbX2층)을 형성하고, 상기 납할라이드층(PbX2층) 상에 메틸암모늄할라이드(CH3NH3X, X = Cl, Br 또는 I)와 용매를 포함하는 메틸암모늄할라이드(CH3NH3X, X = Cl, Br 또는 I) 용액을 코팅한 다음, 열 반응시켜 형성된 메틸암모늄납할라이드(CH3NH3PbX3, X = Cl, Br 또는 I)를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 일함수 개질층은 폴리에테르이미드(polyetherimide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 일함수 개질층은 2nm 내지 20nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 일함수 개질층의 표면은 10nm 내지 15nm의 RMS(Root Mean Square) 조도를 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
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제1항에 있어서, 상기 플러렌 유도체는 PCBM를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 용매는 γ-부티로락톤(GBL), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아미드(DMF) 및 이소프로판올(isopropanol)로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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음극을 형성하는 제1공정; 상기 음극 상에 페로브스카이트 화합물을 포함하는 페로브스카이트층을 형성하는 제2공정; 상기 페로브스카이트층 상에 정공 수송층을 형성하는 제3공정; 및 상기 정공 수송층 상에 양극을 형성하는 제4공정을 포함하고, 상기 제1공정은, PEDOT:PSS 막을 형성하는 단계 a)와, 상기 PEDOT:PSS 막의 표면에, 상기 PEDOT:PSS 막과 페로브스카이트층 간의 일함수(work function) 차이를 감소시키는 일함수 개질층을 형성하는 단계 b)를 포함하며, 상기 음극의 일함수 개질층 상에 플러렌 유도체를 포함하는 용액을 코팅하여 전자 수송층을 형성하는 공정을 더 포함하되, 상기 제2공정은, 고형의 납할라이드(PbX2, X = Cl, Br 또는 I)를 열 기화시켜 상기 플러렌 유도체를 포함하는 전자 수송층 상에 납할라이드층(PbX2층)을 형성하는 제1단계와, 상기 납할라이드층(PbX2층) 상에 메틸암모늄할라이드(CH3NH3X, X = Cl, Br 또는 I)와 용매를 포함하는 메틸암모늄할라이드(CH3NH3X, X = Cl, Br 또는 I) 용액을 코팅한 다음, 열 반응시켜 메틸암모늄납할라이드(CH3NH3PbX3, X = Cl, Br 또는 I)의 페로브스카이트층을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 단계 b)는 폴리에테르이미드(polyetherimide)를 포함하는 개질 용액을 상기 PEDOT:PSS 막 상에 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 단계 b)는 일함수 개질층을 2nm 내지 20nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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삭제
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삭제
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제10항에 있어서, 상기 플러렌 유도체는 PCBM를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제2단계에서의 용매는 γ-부티로락톤(GBL), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아미드(DMF) 및 이소프로판올(isopropanol)로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 가천대학교 중견연구자지원사업 페로브스카이트 태양전지 한계 극복을 위한 대규모 GW 계산 및 실험 연구