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광원과 연결된 일 측으로부터 제 1광을 획득하여 타 측으로 제 2광을 전달하는 광 도파로;상기 광 도파로의 외부에 형성되는 외피; 및상기 광 도파로의 일부가 외부에 노출되도록 상기 외피의 일부가 제거되어 형성되는 측정부;를 포함하며,상기 측정부는, 단일 DNA 가닥을 이용하여 농도를 측정하고자 하는 측정 물질과 접촉하며,상기 단일 DNA 가닥은 서열번호 1 내지 5 중 어느 하나로 이루어지고,상기 측정 물질은 수은이며,상기 단일 DNA 가닥은 상기 수은과 결합하는 경우 헤어핀 형태로 변형되는 광 도파로 센서
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제 1항에 있어서,상기 측정부는, 적어도 하나의 상기 단일 DNA 가닥과 결합하기 위해 상기 외부에 노출된 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 도금층;을 더 포함하는 광 도파로 센서
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제 2항에 있어서,상기 도금층은, 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 제 1층인 크롬 도금층; 및 상기 크롬 도금의 표면에 형성되는 제 2층인 금 도금층;으로 형성되는 광 도파로 센서
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제 3항에 있어서,상기 광 도파로는, 타 측이 상기 제 2광의 출력을 측정하는 광 출력 측정기와 연결되도록 구비되는 광 도파로 센서
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제 5항에 있어서,상기 광원은 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프인 광 도파로 센서
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제 6항에 있어서,상기 측정 물질은 중금속이며, 상기 측정부의 검출 한계가 하기 수학식으로 표현되는 광 도파로 센서
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일정 세기의 제 1광을 발생시키는 광원;상기 광원으로부터 상기 제 1광을 전달 받고, 측정 물질을 이용하여 상기 제 1광을 제 2광으로 변환시키는 광 도파로 센서; 및상기 광 도파로 센서로부터 상기 제 2광을 전달받아 상기 측정 물질에 측정하고자 하는 중금속이 포함되었는지 단일 DNA 가닥을 이용하여 검출하는 검출 장치;를 포함하며,상기 단일 DNA 가닥은 서열번호 1 내지 5 중 어느 하나로 이루어지고,상기 측정 물질은 수은이며,상기 단일 DNA 가닥은 상기 수은과 결합하는 경우 헤어핀 형태로 변형되는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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제 9항에 있어서,상기 광원은, 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프인 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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제 10항에 있어서,상기 광원과 연결된 일 측으로부터 상기 제 1광을 획득하여 타 측으로 상기 제 2광을 전달하는 광 도파로;상기 광 도파로의 외부에 형성되는 외피; 및상기 광 도파로의 일부가 외부에 노출되도록 상기 외피의 일부가 제거되어 형성되는 측정부;를 포함하며,상기 측정부는, 상기 단일 DNA 가닥을 이용하여 농도를 측정하고자 하는 측정 물질과 접촉하는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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제 11항에 있어서,상기 측정부는, 적어도 하나의 상기 단일 DNA 가닥과 결합하기 위해 상기 외부에 노출된 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 도금층;을 더 포함하는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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제 12항에 있어서,상기 도금층은, 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 제 1층인 크롬 도금층; 및 상기 크롬 도금의 표면에 형성되는 제 2층인 금 도금층;으로 형성되는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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제 13항에 있어서,상기 광 도파로는, 타 측이 상기 제 2광의 출력을 측정하는 광 출력 측정기와 연결되도록 구비되는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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제 15항에 있어서,상기 광원은 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프인 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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제 16항에 있어서,상기 측정 물질은 중금속이며, 상기 측정부의 검출 한계가 하기 수학식으로 표현되는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
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