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a) 아미노기를 가지는 벤조이미다졸계 고분자에 글리시딜기를 가지는 모르폴린계 음이온전도성 화합물을 반응시켜 음이온전도성 고분자 바인더를 제조하는 단계 b) 상기 음이온전도성 고분자 바인더, 가교제, 촉매 및 비수용성 용매를 혼합하여 촉매슬러리를 제조하는 단계 c) 상기 촉매슬러리를 탄소계 전극기재 상에 도포하고 가교결합시켜 이온교환막을 형성하는 단계 및 d) 상기 이온교환막이 가교결합되어 코팅된 탄소계 전극기재를 알칼리 금속의 수산화염에 침지하여 수산화이온을 도핑하는 단계를 포함하며, 상기 음이온전도성 고분자 바인더 : 상기 가교제의 몰비가 20~2 : 1인 탄소 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계 이전에, 3,3'-디아미노벤지딘 및 아미노이소프탈산을 축합반응시켜 아미노기를 가지는 벤조이미다졸계 고분자를 중합하는 단계를 더 포함하는 탄소 전극의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 a) 단계의 상기 글리시딜기를 가지는 모르폴린계 음이온전도성 화합물은 4-메틸-4-글리시딜-모르폴린-4-이움 클로라이드인 탄소 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계는 상기 아미노기를 가지는 벤조이미다졸계 고분자 및 상기 글리시딜기를 가지는 모르폴린계 음이온전도성 화합물을 0
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계의 탄소계 전극기재는 활성탄소 입자, 탄소섬유, 탄소나노튜브 및 그라파이트 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 탄소 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서, 6
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제6항에 있어서,하기 관계식 1을 만족하는 탄소 전극의 제조 방법
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탄소계 전극기재; 및 4-메틸-4-글리시딜-모르폴린-4-이움 클로라이드가 도입된 벤조이미다졸계 고분자를 포함하는 음이온전도성 고분자 바인더 및 촉매가 상기 탄소계 전극기재 상에 가교결합되어 코팅된 이온교환막;을 포함하는, 제7항의 탄소 전극의 제조 방법으로 제조되는 다공성 탄소 전극
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