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방향족기 함유 불포화 단량체; 글리시딜기 함유 불포화 단량체; 및 가교제;를 포함하는 단량체 혼합물을 다공성 고분자기재의 기공에 충진하는 단계; 충진된 단량체를 중합하여 작용기가 도입된 고분자 기재를 제조하는 단계;상기 작용기가 도입된 고분자 기재의 표면에 킬레이팅 작용기를 도입하는 단계; 및 킬레이팅 작용기가 도입된 고분자 기재의 표면에 술폰기를 도입하는 단계;를 포함하며,상기 글리시딜기 함유 단량체 및 방향족기 함유 단량체의 비율로 양이온 교환막의 양이온 선택투과도를 조절하는 양이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 충진하는 단계에서 혼합되는 글리시딜기 함유 단량체는 방향족기 함유 단량체 100 중량부 대비 0
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제 1항에 있어서,상기 방향족기 함유 단량체는 스티렌계 화합물인 양이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 충진하는 단계 후, 가교하는 단계 전 롤링으로 잉여 단량체를 제거하는 단계;를 더 포함하는 양이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 작용기가 도입된 고분자 기재를 제조하는 단계에서 중합은 광가교 및 열가교에서 선택되는 하나 이상을 이용하는 양이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 두께가 1 내지 50 ㎛이고, 공극률이 40 내지 80%인 양이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 가교제는 상기 단량체 혼합물의 전체 함량에서 0
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제 1항에 있어서,상기 양이온 교환막은 막평형이 이루어진 후를 기준으로, 하기 관계식 1의 선택투과 계수()가 1
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 필름, 시트, 부직포 또는 입자상인 양이온 교환막 제조방법
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제 1항 내지 제 8항, 제 10항에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 양이온 교환막
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제 11항에 의한 양이온 교환막을 포함하는 전기화학 장치
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