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음이온교환 작용기 또는 음이온교환 작용기 전구체를 포함하는 제 1 단량체, 일단에 아크릴기 및 타단에 아민기를 포함하는 제 2 단량체 및 가교제를 포함하는 단량체 혼합물을 다공성 고분자 기재의 기공에 충진하는 단계; 충진된 단량체 혼합물을 중합하는 제 1 작용기 도입 단계; 및상기 제 1 작용기 도입단계 후 말단에 할로겐원소를 2개 이상 포함하는 제 3 단량체를 도입하는 제 2 작용기 도입 단계;를 포함하며,상기 다공성 고분자 기재에 포함된 기공의 평균입경은 0
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제 1항에 있어서,상기 충진하는 단계에서 포함되는 제 2 단량체는 제 1 단량체 100 중량부 대비 20 내지 150 중량부인 음이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 가교제는 전체 단량체 혼합물 중 0
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제 1항에 있어서,상기 가교제는 말단에 2개 이상의 아크릴레이트기, 메타크릴레이트기, 아릴기 또는 비닐기를 포함하는 화합물인 음이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제 2 작용기 도입단계는 제 2 단량체의 아민기와 결합하여 아민기 또는 4급 암모늄 염을 형성하는 단계인 음이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 충진하는 단계 후 중합 전 롤링으로 잉여 단량체를 제거하는 단계;를 더 포함하는 음이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제 1 작용기 도입단계는 광가교 및 열가교에서 선택되는 하나 이상을 이용하는 음이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 두께가 1 내지 50 ㎛이고, 공극률이 40 내지 80%인 음이온 교환막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 필름, 시트, 부직포 또는 입자상인 음이온 교환막 제조방법
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제 1항 내지 제 9항에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 음이온 교환막
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제 10항에 의한 음이온 교환막을 포함하는 전기화학 장치
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