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화학 기상 증착 공정 중 박막 제조 장치의 반응실 내로 기판을 로딩(loading)시킨 후, 플라즈마에 상기 반응실 내벽을 노출시켜 상기 플라즈마에 상기 기판을 노출시키는 전처리 단계; 상기 기판의 표면을 세정하는 단계; 및 세정된 상기 기판의 표면에 박막을 증착시키는 단계를 포함하고, 상기 전처리 단계는, 비활성기체, 사일렌(SiH4), 및 수소(H2)를 포함하는 상기 플라즈마에 상기 기판을 노출시키며, 상기 기판의 표면을 세정하고 상기 박막을 증착시키기 이전에 인사이투(in situ) 공정을 수행하여 상기 반응실 내벽의 흡착된(adsorbed) 수분(H2O)을 감소시켜 상기 기판의 세정 효율을 높이고 상기 반응실 내벽의 수분 오염을 감소시키며, 상기 박막을 상기 기판에 증착시키는 플라즈마 증착 장치의 샤워헤드 전극의 직경이 상기 기판의 직경보다 크게 이루어져, 상압 환경에서 상기 플라즈마를 이용한 전처리, 세정, 및 박막 증착의 기판 표면처리공정을 수행하고, 오염된 환경에서 운영되는 화학 기상 증착 공정 중 반응실 내벽에 흡착된 오염물질의 박막 내 유입을 억제하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 공정 중 반응실 내벽에 흡착된 오염물질의 박막 내 유입을 억제하는 방법
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제1항에 있어서,상기 전처리 단계는, 아르곤(Ar), 사일렌(SiH4), 및 수소(H2)를 포함하는 혼합 플라즈마에 상기 기판을 노출시키는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 공정 중 반응실 내벽에 흡착된 오염물질의 박막 내 유입을 억제하는 방법
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화학 기상 증착 공정 중 박막 제조 장치의 반응실 내로 기판을 로딩(loading)시킨 후, 플라즈마에 상기 반응실 내벽을 노출시켜 상기 플라즈마에 상기 기판을 노출시키는 전처리부; 상기 기판의 표면을 세정하는 세정부; 및 세정된 상기 기판의 표면에 박막을 증착시키는 박막 증착부를 포함하고, 상기 전처리부는, 비활성기체, 사일렌(SiH4), 및 수소(H2)를 포함하는 상기 플라즈마에 상기 기판을 노출시키며, 상기 기판의 표면을 세정하고 상기 박막을 증착시키기 이전에 인사이투(in situ) 공정을 수행하여 상기 반응실 내벽의 흡착된(adsorbed) 수분(H2O)을 감소시켜 상기 기판의 세정 효율을 높이고 상기 반응실 내벽의 수분 오염을 감소시키며, 상기 박막을 상기 기판에 증착시키는 플라즈마 증착 장치의 샤워헤드 전극의 직경이 상기 기판의 직경보다 크게 이루어져, 상압 환경에서 상기 플라즈마를 이용한 전처리, 세정, 및 박막 증착의 기판 표면처리공정을 수행하고, 오염된 환경에서 운영되는 화학 기상 증착 공정 중 반응실 내벽에 흡착된 오염물질의 박막 내 유입을 억제하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 공정 중 반응실 내벽에 흡착된 오염물질의 박막 내 유입을 억제하는 시스템
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제7항에 있어서,상기 전처리부는, 아르곤(Ar), 사일렌(SiH4), 및 수소(H2)를 포함하는 혼합 플라즈마에 상기 기판을 노출시키는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 공정 중 반응실 내벽에 흡착된 오염물질의 박막 내 유입을 억제하는 시스템
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