| 1 |
1
산소계 산화제, 카르복실산류 및 환원방지제를 포함하는 에칭액 조성물로,상기 산소계 산화제는 염소산나트륨(NaClO3), 차아염소산나트륨(NaOCl) 및 과염소산(HClO)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 은나노와이어를 포함하는 도전성 막에 사용되는 에칭액 조성물
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 카르복실산류는 모노카르복실산류, 다이카르복실산류, 트리카르복실산류 및 아크릴산류로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 은나노와이어를 포함하는 도전성 막에 사용되는 에칭액 조성물
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 모노카르복실산류는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부틸산 또는 벤조산이며,상기 다이카르복실산류는 옥살산, 말론산, 숙신산, 말레익산, 푸마릭산 또는 프탈산이며,상기 트리카르복실산류는 시트르산 또는 이소시트르산인 것을 특징으로 하는 은나노와이어를 포함하는 도전성 막에 사용되는 에칭액 조성물
|
| 5 |
5
염소산나트륨(NaClO3) 5-30중량%, 차아염소산나트륨(NaOCl) 1-20중량% 및 과염소산(HClO) 1-20중량%;카르복실산류 0
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
은나노와이어를 포함하는 도전성 막에 사용되는 에칭액 조성물을 이용하여 제조된 투명 전극으로서,은나노와이어가 코팅된 기판을 전열처리한 후 포토레지스트를 코팅하고 패터닝하는 단계, 상기 패터닝 단계 이후 상기 포토레지스트를 제거하는 단계 및 상기 제 1항의 에칭액 조성물을 이용하여 상기 은나노와이어를 에칭하는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조되며,상기 은나노와이어 에칭 단계에서, 상기 은나노와이어는 상기 에칭액 조성물과 접촉하여 절연성을 갖도록 변성되며,도전성 영역과 절연성 영역 간의 헤이즈 차가 0
|
