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제 1 소스 전극, 제 1 드레인 전극, 및 상기 제 1 소스 전극과 상기 제 1 드레인 전극 사이에 형성된 전이금속 칼코겐화합물의 제 1 채널 영역을 포함하는 제 1 박막 트랜지스터; 상기 제 1 소스 전극과 연결되는 제 2 드레인 전극, 제 2 소스 전극, 및 상기 제 2 소스 전극과 상기 제 2 드레인 전극 사이에 형성된 전이금속 칼코겐화합물의 제 2 채널 영역을 포함하는 제 2 박막 트랜지스터; 및상기 제 1 박막 트랜지스터와 상기 제 2 박막 트랜지스터 중 스위치 소자로 설정된 트랜지스터의 채널 영역으로 입사되는 광을 차단하고 센서 소자로 설정된 트랜지스터의 채널 영역으로 입사되는 광을 통과시키기 위한 차광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 기반 광센서 어레이 구조
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제 1항에 있어서,상기 차광부는 상기 스위치 소자로 설정된 트랜지스터 채널 영역 물질층상에 형성된 불투명 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 광센서 어레이 구조
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제 2항에 있어서,상기 불투명 물질층은 불투명 전극 물질층 및 상기 불투명 전극 물질층과 상기 채널 영역 물질층 사이에 형성된 절연 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 광센서 어레이 구조
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제 2항에 있어서,상기 차광부는 상기 센서 소자로 설정된 트랜지스터 채널 영역 물질층상에 형성된 투명 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 광센서 어레이 구조
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제 4항에 있어서,상기 투명 물질층은 투명 전극 물질층 및 상기 투명 전극 물질층과 상기 채널 영역 물질층 사이에 형성된 절연 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 광센서 어레이 구조
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6 |
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제 1항에 있어서,상기 차광부는 상기 제 1 박막 트랜지스터 및 상기 제 2 박막 트랜지스터 상측에 위치하는 투명 패널을 포함하며, 상기 투명 패널은 상기 스위치 소자로 설정된 트랜지스터의 채널 영역으로 입사되는 광을 차단하기 위해 미리 설정된 영역에 형성된 블랙 매트릭스층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 광센서 어레이 구조
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제 1항에 있어서,상기 차광부는 상기 스위치 소자로 설정된 트랜지스터의 불투명 게이트 전극 및 상기 센서 소자로 설정된 트랜지스터의 투명 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 광센서 어레이 구조
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제 1항에 있어서,상기 스위치 소자로 설정된 트랜지스터의 게이트 전극으로 미리 설정된 스위치 소자 게이트 전압을 공급하는 스위치 소자 게이트 전압 공급부; 및 입사되는 광에 의해 변화되는 드레인 전류의 크기가 상기 스위치 소자 게이트 전압에서보다 큰 미리 설정된 센서 소자 게이트 전압을 상기 센서 소자로 설정된 트랜지스터의 게이트 전극으로 공급하는 센서 소자 게이트 전압 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 광센서 어레이 구조
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