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소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 전이금속 이셀레니드몰리브덴의 채널 영역을 포함하는 센서 박막 트랜지스터를 포함하는 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서를 구동하기 위한 방법으로서,상기 게이트 전극에 제 1 게이트 전압을 인가하는 단계; 상기 센서 박막 트랜지스터의 드레인 전류를 측정하는 단계; 및입사되는 광에 의해 변화되는 상기 드레인 전류의 크기가 상기 제 1 게이트 전압에서보다 작은 미리 설정된 제 2 게이트 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 1 게이트 전압 인가시 상기 드레인 전극에 제 1 드레인 전압을 인가하는 단계; 및 상기 제 2 게이트 전압 인가시 상기 드레인 전극에 상기 제 1 드레인 전압과 다른 미리 설정된 제 2 드레인 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 1항에 있어서,입사되는 광에 의해 변화되는 상기 드레인 전류의 크기가 상기 제 1 게이트 전압에서보다 작고, 상기 제 1 게이트 전압을 차감한 값이 상기 제 2 게이트 전압에서 상기 제 1 게이트 전압을 차감한 값과 반대 극성을 가지는 미리 설정된 제 3 게이트 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 3항에 있어서,상기 제 1 게이트 전압 인가시 상기 드레인 전극에 제 1 드레인 전압을 인가하는 단계; 및 상기 제 2 게이트 전압 인가시 상기 드레인 전극에 상기 제 1 드레인 전압과 다른 미리 설정된 제 2 드레인 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 4항에 있어서,상기 제 2 게이트 전압 인가시 상기 드레인 전극에 상기 제 1 드레인 전압을 차감한 값이 상기 제 2 드레인 전압에서 상기 제 1 드레인 전압을 차감한 값과 반대 극성을 가지는 미리 설정된 제 3 드레인 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 1항에 있어서,상기 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서는 상기 센서 박막 트랜지스터와 다른 게이트 전압 공급부에 게이트 전극이 연결되고, 상기 센서 박막 트랜지스터와 직렬 연결되는 스위치 박막 트랜지스터를 더 포함하며,상기 스위치 박막 트랜지스터가 오프(off) 상태에서 상기 센서 박막 트랜지스터의 게이트 전극에는 상기 제 1 게이트 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 1 게이트 전압은 0V보다 작은 음의 전압인 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 2 게이트 전압은 0V보다 큰 양의 전압인 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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제 1항에 있어서,상기 스위치 박막 트랜지스터는 상기 센서 트랜지스터와 동일 구조의 이셀레니드몰리브덴 기반 트랜지스터이고, 상기 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서는 상기 스위치 박막 트랜지스터의 채널 영역으로 입사되는 광을 차단하고 센서 박막 트랜지스터의 채널 영역으로 입사되는 광을 통과시키기 위한 차광부를 더 포함하며,상기 스위치 박막 트랜지스터의 오프(off) 상태는 상기 스위치 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 제 1 게이트 전압이 인가되는 상태인 것을 특징으로 하는 전이금속 이셀레니드몰리브덴 기반 광센서 구동 방법
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