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란타나이드 금속 버퍼층 기반 원자 스위치 소자

  • 기술번호 : KST2019038416
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 란타나이드 금속 버퍼층 기반 원자 스위치 소자는 활성 전극, 비활성 전극, 및 활성 전극과 비활성 전극 사이의 고체 전해질층을 포함하는 비휘발성 소자로서, 활성 전극과 고체 전해질층 사이에 형성된 란타나이드 금속의 버퍼층을 더 포함한다. 활성 전극과 고체 전해질층 사이에 란타나이드 금속의 버퍼층을 형성함으로써, 활성 전극 물질의 고체 전해질층으로의 확산을 제어하여 리셋(Reset)을 이루기 위한 전력(Power) 소모를 줄이고, 소자의 고온 신뢰성과 쓰기/지우기 반복횟수 (Endurance) 특성을 개선할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160079427 (2016.06.24)
출원인 고려대학교 세종산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0000982 (2018.01.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 대한민국 세종특별자치시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전상훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 고영인 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 ** *동 ***호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0613437-05
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0630918-08
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0628416-97
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0732725-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2018-5011666-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2018-5138839-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5165251-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5228968-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073634-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
활성 전극, 비활성 전극, 및 상기 활성 전극과 상기 비활성 전극 사이의 고체 전해질층을 포함하는 원자 스위치 소자로서,상기 활성 전극과 상기 고체 전해질층 사이에 형성된 란타나이드 금속(Lanthanide Metal)의 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자 스위치 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 란타나이드 금속은 네오디뮴(neodymium; Nd)인 것을 특징으로 하는 원자 스위치 소자
3 3
청구항 2에 있어서,상기 란타나이드 금속의 두께는 50 옹스트롬 이상 100 옹스트롬 이하인 것을 특징으로 하는 원자 스위치 소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 란타나이드 금속은 디스프로슘(dysprosium; Dy)인 것을 특징으로 하는 원자 스위치 소자
5 5
청구항 4에 있어서,상기 란타나이드 금속의 두께는 25 옹스트롬 이상 75 옹스트롬 이하인 것을 특징으로 하는 원자 스위치 소자
6 6
청구항 1에 있어서,상기 고체 전해질층은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자 스위치 소자
7 7
청구항 1에 있어서,상기 고체 전해질층은 HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO, Y2O3, Ln2O3 중에서 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자 스위치 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 나노·소재기술개발 M3D 집적 초절전 아키텍처구현을 위한 저온공정 및 원자스위치 소자 개발