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기판상에 형성된 제 1 게이트, 상기 제 1 게이트 상에 형성된 제 1 게이트 절연층, 상기 제 1 게이트 절연층 상에 형성된 제 1 반도체층, 및 상기 제 1 반도체층 상에 서로 이격되어 형성된 제 1 소스 및 제 1 드레인을 포함하는 센서 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터부;상기 기판상에 형성되는 하부 전극, 상기 하부 전극상에 형성된 강유전체층, 및 상기 강유전체층상에 형성된 상부 전극을 포함하는 커패시터를 포함하는 커패시터부를 포함하며,상기 제 1 게이트는 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극에 연결되며, 상기 기판으로부터 상기 제 1 소스 및 네 1 드레인까지의 높이는 상기 기판으로부터 상기 상부 전극층의 높이보다 작은 것을 특징으로 하는 강유전체 기반 센서 소자
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 주위 영역보다 높이가 낮은 요홈부를 포함하며,상기 트랜지스터부는 상기 기판의 요홈부상에 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기반 센서 소자
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| 3 |
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 주위 영역보다 높이가 높은 돌출부를 포함하며,상기 커패시터부는 상기 기판의 돌출부상에 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기반 센서 소자
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4
청구항 2 또는 3에 있어서,상기 트랜지스터부는 상기 기판상에 형성된 제 2 게이트, 상기 제 2 게이트상에 형성된 제 2 게이트 절연층, 상기 제 2 게이트 절연층상에 형성된 제 2 반도체층, 및 상기 제 2 반도체층상에 서로 이격되어 형성된 제 2 소스 및 제 2 드레인을 포함하는 스위치 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제 1 소스 또는 제 1 드레인은 상기 제 2 드레인 또는 제 2 소스와 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기반 센서 소자
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청구항 4에 있어서,상기 커패시터부는 복수의 상기 커패시터를 포함하고, 상기 트랜지스터부는 상기 복수의 커패시터와 각각 연결되는 복수의 센서 트랜지스터 및 상기 복수의 트랜지스터와 각각 연결되는 복수의 스위치 트랜지스터를 포함하며,상기 복수의 스위치 트랜지스터는 게이트가 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기반 센서 소자
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6
청구항 5에 있어서,상기 복수의 커패시터는 외부 자극에 대해 서로 다른 출력 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 강유전체 기반 센서 소자
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청구항 2 또는 3에 있어서,상기 제 1 게이트와 상기 제 1 소스 및 제 1 드레인의 사이의 커패시턴스인 트랜지스터부 커패시턴스는 상기 하부 전극과 상부 전극 사이의 커패시턴스인 커패시터부 커패시턴스보다 미리 설정된 크기만큼 큰 것을 특징으로 하는 강유전체 기반 센서 소자
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