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하프니아 계열의 강유전체층을 포함하는 반도체 소자로서,상기 강유전체층은 미리 설정된 기준 기압보다 높은 기압에서 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 강유전체층은 N2 분위기에서 열처리 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 강유전체층은 Ar 분위기에서 열처리 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1항에 있어서,상기 강유전체층은 금속층과 반도체층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 4에 있어서,상기 반도체층과 상기 강유전체층 사이에 형성된 절연층, 및 상기 절연층과 상기 강유전체층 사이에 형성된 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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6
청구항 1에 있어서,상기 강유전체층은 서로 이격된 금속층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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7
하프니아 계열의 강유전체층을 포함하는 반도체 소자 제조 방법으로서,미리 설정된 기준 기압보다 높은 기압에서 상기 강유전체층의 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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8
청구항 7에 있어서,상기 열처리를 N2 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 열처리를 Ar 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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10
청구항 7에 있어서,상기 열처리 이전 상기 강유전체층을 금속층상에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 열처리 이전 상기 강유전체층의 형성 이후 상기 강유전체층상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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12
청구항 10에 있어서,상기 열처리 수행 이후 상기 강유전체층상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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