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플라즈마 식각 장치의 공정 챔버 내의 서셉터 위에 기판을 배치하는 단계,상기 공정 챔버 내로 염화수소를 포함하는 식각 가스를 공급하는 단계,상기 기판에서 구리를 포함하는 도전층을 플라즈마 식각하는 단계, 그리고상기 플라즈마 식각하는 동안 상기 서셉터의 온도를 10℃ 이하로 유지하는 단계를 포함하는 구리 플라즈마 식각 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 식각 단계에서 하기 반응 단계를 포함하는 구리 플라즈마 식각 방법:1단계: Cu + Cl → CuCl(s)2단계: CuCl + Cl → CuCl2(s)3단계: CuCl2 + 3H → CuH(g) + 2HCl(g)3CuCl2 + 3H → Cu3Cl3(g) + 3HCl(g)3CuCl2 + 3/2H2 → Cu3Cl3(g) + 3HCl(g)
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제1항에서,상기 플라즈마 식각 단계에서 수소 라디칼의 수가 염소 라디칼의 수와 동일하거나 그보다 많은 구리 플라즈마 식각 방법
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제1항에서,상기 식각 가스는 H2 가스를 더 포함하는 구리 플라즈마 식각 방법
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제4항에서,상기 염화수소에 대한 상기 H2 가스의 유량비가 0
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제1항에서,상기 플라즈마 식각 단계는 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 소스에 의해 형성된 플라즈마를 사용하여 수행되는 구리 플라즈마 식각 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 식각 단계에서 반응성 이온 식각을 적용하는 구리 플라즈마 식각 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 식각 단계는 10-2 내지 10-4Torr의 공정 압력 하에서 수행되는 구리 플라즈마 식각 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 식각 단계에서 식각 마스크로서 포토레지스트 마스크를 사용하는 구리 플라즈마 식각 방법
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기판 위에 구리를 포함하는 도전층을 형성하는 단계,상기 도전층이 형성된 기판을 플라즈마 식각 장치의 공정 챔버 내의 서셉터 위에 배치하는 단계,상기 공정 챔버 내에 염화수소를 포함하는 식각 가스를 공급하는 단계,상기 도전층을 플라즈마 식각하는 단계, 그리고상기 플라즈마 식각하는 동안 상기 서셉터의 온도를 10℃ 이하로 유지하는 단계를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 플라즈마 식각 단계에서 하기 반응 단계를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 플라즈마 식각 단계에서 수소 라디칼의 수가 염소 라디칼의 수와 동일하거나 그보다 많은 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 식각 가스는 H2 가스를 더 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법
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제13항에서,상기 염화수소에 대한 상기 H2 가스의 유량비가 0
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제10항에서,상기 플라즈마 식각 단계는 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 소스에 의해 형성된 플라즈마를 사용하여 수행되는 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 플라즈마 식각 단계에서 반응성 이온 식각을 적용하는 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 도전층을 플라즈마 식각하는 단계는 게이트선 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 도전층을 플라즈마 식각하는 단계는 데이터선, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 플라즈마 식각 단계는 10-2 내지 10-4Torr의 공정 압력 하에서 수행되는 디스플레이 패널 제조 방법
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제10항에서,상기 기판은 플라스틱 기판인 디스플레이 패널 제조 방법
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