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열 플라즈마(Thermal Plasma)를 이용한 그래핀 제조 방법으로서,(a) 흑연(Graphite)을 준비하는 단계;(b) 상기 흑연을 산화(Oxidation)하는 단계;(c) 산화 흑연을 열 플라즈마 처리하는 단계; 및(d) 그래핀을 박리(Exfoliation)하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계 이후 상기 산화 흑연 내의 그래핀 층간의 거리가 증가되어, 상기 (d) 단계에서 10층보다 적은 수의 층으로 적층된 그래핀을 박리하는, 그래핀 제조 방법
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열 플라즈마(Thermal Plasma)를 이용한 그래핀 제조 방법으로서,(a) 흑연(Graphite)을 준비하는 단계;(b) 상기 흑연을 산화(Oxidation)하는 단계; 및(c) 산화 흑연 및 금속의 혼합물을 열 플라즈마 처리하여 흑연과 나노금속 입자를 결합하는 단계; 및(d) 나노금속 입자가 결합된 그래핀을 박리(Exfoliation)하는 단계를 포함하고상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계 이후 상기 산화 흑연 내의 그래핀 층간의 거리가 증가되어, 상기 (d) 단계에서 10층보다 적은 수의 층으로 적층된 그래핀을 박리하는, 그래핀 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (c) 단계에서, DC 플라즈마를 사용하여 상기 열 플라즈마 처리를 수행하는, 그래핀 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 (c) 단계에서, N2 플라즈마를 사용하여 상기 열 플라즈마 처리를 수행하는, 그래핀 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 열 플라즈마 처리 후에 상기 산화 흑연의 sp3 탄소 결합구조가 감소되고, sp2 탄소 결합구조가 증가하는, 그래핀 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 산화 흑연의 온도 변화 속도는 적어도 3000 K/sec인, 그래핀 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 나노금속 입자는 Si, Ni, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, Mg 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 입자인, 그래핀 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 산화 흑연과 상기 나노금속 입자의 계면에 흑연-나노금속 화합물이 형성되는, 그래핀 제조 방법
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제9항에 있어서상기 금속이 기화된 직후, 상기 산화 흑연의 표면에서 핵성장하여 상기 흑연과 상기 나노금속 입자를 결합하는, 그래핀 제조 방법
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