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열 플라즈마 처리를 통해 기능기를 도핑함으로써 EMI 차폐에 관한 성능을 향상시키기 위한 탄소 소재 기능화 방법으로서,그래핀 또는 Thin-그래파이트 중 선택된 어느 하나의 제1 원료를 준비하는 단계;상기 제1 원료와 황(S)-기능기를 포함하는 제2 원료를 혼합하는 단계;상기 혼합 단계에서 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 반응기에 투입하여 열 플라즈마 처리를 통해 상기 제1 원료에 상기 황-기능기를 도핑하는 단계; 및상기 도핑을 통해 기능화가 진행되어 그래핀 또는 그래파이트 90~99wt%를 포함하되,저항 감소 및 전기전도도 증가를 통해 EMI 차폐율을 향상시키기 위하여 황-기능기 1wt% 이상을 포함하고,황-기능기의 불균일한 분산에 따른 편차가 감소되고, 화학적 안정성이 유지되도록, 황-기능기 10wt% 미만을 포함하는 그래핀 융합체 또는 Thin-그래파이트 융합체를 포집하는 단계;를 포함하는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 원료는, 황화수소(H2S), 황을 포함하는 파우더, 이황화 탄소 용액(CS2) 및 이황화 벤질(benzyldisulfide) 분말을 에탄올에 녹인 액상 중 적어도 하나를 포함하는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 원료는, 고형 분말 상으로 제공되는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 원료는, 고형 분말 상으로 제공되는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 원료는, 기체 상의 기상 원료로 제공되는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 원료는, 액체 상의 액상 원료로 제공되는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항에 있어서,상기 융합체에 접합 물질을 교반하여 페이스트화하는 단계;를 더 포함하는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항에 있어서,상기 도핑하는 단계는, 상기 열 플라즈마에 의해 상기 제1 원료에 디펙트를 형성하는 단계 및 상기 황-기능기가 상기 디펙트와 결합하는 단계를 포함하는열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법
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제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 그래핀과 황-기능기가 융합체로 복합된 그래핀
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제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 Thin-그래파이트와 황-기능기가 융합체로 복합된 Thin-그래파이트
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삭제
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제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체를 도포하여 형성되는 EMI 차폐 소재
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